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Vishay : 推出具有為PWM及最佳化的High /Low Side N通道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC _ Sic779CD

 2012-08-29

Vishay Intertechnology Inc. 於日前宣佈,推出具有為PWM及最佳化的High /Low Side N通道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、此為半導體的IC 稱為DrMOS,這IC有低薄外形、熱增強型PowerPAK® MLP 6x6的40腳的封裝。新的SiC779CD完全符合針對伺服器和桌上型電腦、VGA Card、工作站、遊戲機和其他採用CPU的高功率系統中電壓調節器的電源產品。此IC的工作頻率超過1MHz,效率大於93%。

 

 

SiC779CD的先進柵極驅動IC可接收來自VR控制器的一個PWM輸入,並把輸入轉換成High /Low Side MOSFET的柵極驅動信號。此IC的5V PWM輸入相容所有控制器,經過特殊設計,可支援具有三態PWM輸出電壓的控制器。

 

可調節3V~16V的輸入電壓進行工作,最高可輸出40A的連續電流。集成的功率MOSFET為0.8V~2.0V的輸出電壓進行了最佳化,標準輸入電壓為12V。SiC779CD在5V輸出下可為ASIC應用提供最高的功率。

 

此IC的MOSFET驅動具有能自動偵測輕負載情況的電路,能自動開啟系統中為在輕負載條件下實現高效率而設計的跳頻模式工作(SMOD)。主動式失效時間控制有助於進一步提高在所有負載點上的效率。保護功能包括UVLO、過電壓保護,在IC本體溫度過高時,過熱警示功能可對系統發出警報信號。

 

在SiC779CD裡的MOSFET驅動IC和功率MOSFET能夠減少功率損耗,減小與高頻功率所產生的寄生阻抗。設計者可調節頻率進行最佳化調整,改善瞬態反應,節約輸出濾波器元件的成本,在多項輸出應用中實現盡可能高的功率密度。

 

此IC符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定,符合RoHS指令2002/95/EC。

SiC779CD現可提供樣品,且已實現量產,大宗訂貨的供貨週期為十周。

有關Vishay 的詳細資訊,可以訪問其網站:http://www.vishay.com。

 

產品狀態:

 

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