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詮鼎力推TOSHIBA適用LED照明應用裝置方案

 2015-07-22

基於效能上的提升, 東芝提供了針對LED照明應用裝置的各種需求. 如更高性能的非隔離式的LED控製器. 低導通電壓的蕭特基二極體, 高效率MOSFET, 各式各樣的光耦合器系列產品及超具價格競爭力大功率高亮度的LED等。

 

 

 

TB62D901FNG 降壓非隔離式LED照明驅動IC

 

TB62D901FNG是一個恆流驅動IC,適合被使用在降壓式AC / DC轉換型LED照明應用。

TB62D901FNG架構中含有自動關斷週期調整器,即使在波動的輸入電壓及LED順向偏壓的影響下,亦能達到最少變化量的LED電流。

該器件允許線性調光或PWM調光。它有豐富的檢測功能,熱關斷、過電流、過電壓、低電壓栓鎖和電流傳感輸入的終端(ISEN1)開路偵測。

 

應用線路範本

 

 

特徵

•工作電壓:12V至30V

•調光功能:線性調光(通過調整LED的峰值電流)

PWM調光

•開關頻率:可調,最高至500kHz

•操作模式:電流連續導通模式

(自動關斷時間控制模式,固定關斷時間模式)

臨界導通模式

•效率:90%或更高(使用建議的元件)

•檢測功能:熱關斷(TSD)

過電流檢測(OCP)

過電壓檢測(OVP)

低電壓栓鎖(UVLO)

ISEN終端開路檢測(IOP)

•IC待機功能:待機模式下,允許EN信號,最大0.8毫安消耗電流

•工作溫度:TOPR= -40°C至105°C

•封裝:SSOP16-P-225-0.65B

 

方框圖

 

 

 

引腳分配

 

 

 

調光功能

A. PWM Dimming

 

 

B. Linear Dimming

 

 

 

 

C. Ripple Dimming

 

 

保護機制檢測

 

 

 

MOSFET陣容

π-MOSVII Series in DPAK: V DSS = 250 V to 600 V

VDSS
(V)

Product Name

ID
(A)

RDS (ON)
(Ω) Max

Schedule

Generation

ES

MP

250

TK8P25DA

7.5

0.5

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK13P25D

13

0.25

Avail.

Avail.

MOSⅦ

500

TK3P50D

3

3.0

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK4P50D

4

2.0

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK5P50D

5

1.5

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK7P50D

7

1.22

Avail.

Avail.

MOSⅦ

525

TK5P53D

5

1.5

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK6P53D

6

1.3

Avail.

Avail.

MOSⅦ

550

TK4P55DA

3.5

2.45

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK4P55D

4

1.88

Avail.

Avail.

MOSⅦ

600

TK2P60D

2

4.3

Avail.

Avail.

MOSⅦ
New Power Mold

TK4P60DA

3.5

2.2

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK4P60DB

3.7

2.0

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK4P60D

4

1.7

Avail.

Avail.

MOSⅦ

 

DTMOSIV Series (V DSS = 600 V)

 

 

光耦合器陣容 

 

 

 

蕭特基二極體陣容

SBDs Recommended for LED Lighting Applications

Type/Part Number

Feature

Characteristic

1) Rectifier Diode

Low VF

IF(AV)

VRRM

Package

CRG04

1.1 V max

1 A

600 V

S-FLAT™

 2) SBDs

Low VF, Low IRRM

IF(AV)

VRRM

Package

CUS03

0.52 V max

0.7 A

40 V

US-FLAT™

CUS10I40A

0.49 V max
0.06 mA max

1 A

60 V

US-FLAT™

CUS04

0.58 V max

0.7 A

60 V

US-FLAT™

 

 

大功率高效率LED發光二極體

LED晶片的傳統生產方法是在2至4英寸具有昂貴藍寶石襯底的晶片上完成。東芝和普瑞公司(Bridgelux, Inc.)已開發出一個在200 mm矽晶片上製造氮化鎵發光二極體的工藝,東芝也已經將該工藝投入了其加賀東芝電子公司(Kaga Toshiba Electronics Corporation,一家位於日本北部的分立器件產品製造工廠) 的全新生產線中。

採用東芝和普瑞公司的全新矽上氮化鎵(GaN-on-Si)技術生產LED晶片使得東芝公司得以不再需要使用藍寶石襯底,而且以更具成本競爭力的矽襯底生產晶片。

低功耗和使用壽命長的白色LED燈在通用照明、電視背光和其他場合中的應用越來越廣泛。

 

產品陣容

 

用於照明應用的LED

  • W級(6450封裝):TL1F1系列

 

用於照明應用的1.0-W級白光LED
試驗條件:IF=350mA,Ta=25℃

 

 所示的所有數值均是典型值。

 

  • W級(3535封裝):TL1Lx系列

 

用於照明應用的白光LED:1.0-W級
試驗條件:IF=350mA,Ta=25℃

 

 

  • 0.6-W級(3030封裝):TL3GB系列

 

 

  • 0.2-W級(3014封裝):TL2FL系列

用於照明應用的0.2-W級白光LED
試驗條件:IF=65mA,Ta=25℃

 

 

 

  • 0.2-W級(0.65×0.65 CSP):TL1WK系列

用於照明應用的0.2-W級白光LED
試驗條件:IF=65mA,Ta=25℃

 

 

 

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