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诠鼎力推TOSHIBA适用LED照明应用装置方案

 2015-07-22

基于效能上的提升, 东芝提供了针对LED照明应用装置的各种需求. 如更高性能的非隔离式的LED控制器. 低导通电压的萧特基二极管, 高效率MOSFET, 各式各样的光耦合器系列产品及超具价格竞争力大功率高亮度的LED等。

 

 

 

 

TB62D901FNG 降压非隔离式LED照明驱动IC

 

TB62D901FNG是一个恒流驱动IC,适合被使用在降压式AC / DC转换型LED照明应用。

TB62D901FNG架构中含有自动关断周期调整器,即使在波动的输入电压及LED顺向偏压的影响下,亦能达到最少变化量的LED电流。

该器件允许线性调光或PWM调光。它有丰富的检测功能,热关断、过电流、过电压、低电压栓锁和电流传感输入的终端(ISEN1)开路侦测。

 

应用线路范本

 

 

特征

•工作电压:12V至30V

•调光功能:线性调光(通过调整LED的峰值电流)

PWM调光

•开关频率:可调,最高至500kHz

•操作模式:电流连续导通模式

(自动关断时间控制模式,固定关断时间模式)

临界导通模式

•效率:90%或更高(使用建议的组件)

•检测功能:热关断(TSD)

过电流检测(OCP)

过电压检测(OVP)

低电压栓锁(UVLO)

ISEN终端开路检测(IOP)

•IC待机功能:待机模式下,允许EN信号,最大0.8毫安消耗电流

•工作温度:TOPR= -40°C至105°C

•封装:SSOP16-P-225-0.65B

 

方框图

 

 

 

引脚分配

 

 

 

调光功能

A. PWM Dimming

 

B. Linear Dimming

 

C. Ripple Dimming

 

保护机制检测

 

 

 

 

MOSFET阵容

π-MOSVII Series in DPAK: V DSS = 250 V to 600 V 

VDSS
(V)

Product Name

ID
(A)

RDS (ON)
(Ω) Max

Schedule

Generation

ES

MP

250

TK8P25DA

7.5

0.5

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK13P25D

13

0.25

Avail.

Avail.

MOSⅦ

500

TK3P50D

3

3.0

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK4P50D

4

2.0

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK5P50D

5

1.5

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK7P50D

7

1.22

Avail.

Avail.

MOSⅦ

525

TK5P53D

5

1.5

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK6P53D

6

1.3

Avail.

Avail.

MOSⅦ

550

TK4P55DA

3.5

2.45

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK4P55D

4

1.88

Avail.

Avail.

MOSⅦ

600

TK2P60D

2

4.3

Avail.

Avail.

MOSⅦ
New Power Mold

TK4P60DA

3.5

2.2

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK4P60DB

3.7

2.0

Avail.

Avail.

MOSⅦ

TK4P60D

4

1.7

Avail.

Avail.

MOSⅦ

 

DTMOSIV Series (V DSS = 600 V)

 

光耦合器阵容

 

 

萧特基二极管阵容

SBDs Recommended for LED Lighting Applications

Type/Part Number

Feature

Characteristic

1) Rectifier Diode

Low VF

IF(AV)

VRRM

Package

CRG04

1.1 V max

1 A

600 V

S-FLAT™

 2) SBDs

Low VF, Low IRRM

IF(AV)

VRRM

Package

CUS03

0.52 V max

0.7 A

40 V

US-FLAT™

CUS10I40A

0.49 V max
0.06 mA max

1 A

60 V

US-FLAT™

CUS04

0.58 V max

0.7 A

60 V

US-FLAT™

 

 

大功率高效率LED发光二极管

LED芯片的传统生产方法是在2至4英寸具有昂贵蓝宝石衬底的芯片上完成。东芝和普瑞公司(Bridgelux, Inc.)已开发出一个在200 mm硅芯片上制造氮化镓发光二极管的工艺,东芝也已经将该工艺投入了其加贺东芝电子公司(Kaga Toshiba Electronics Corporation,一家位于日本北部的分立器件产品制造工厂) 的全新生产线中。

采用东芝和普瑞公司的全新硅上氮化镓(GaN-on-Si)技术生产LED芯片使得东芝公司得以不再需要使用蓝宝石衬底,而且以更具成本竞争力的硅衬底生产芯片。

低功耗和使用寿命长的白色LED灯在通用照明、电视背光和其他场合中的应用越来越广泛。

 

产品阵容

 

 

用於照明應用的LED

  • W級(6450封裝):TL1F1系列

 

用于照明应用的1.0-W级白光LED
试验条件:IF=350mA,Ta=25℃

 

所示的所有数值均是典型值。

 

  • W级(3535封装):TL1Lx系列

 

用于照明应用的白光LED:1.0-W级
试验条件:IF=350mA,Ta=25℃

 

  • 0.6-W级(3030封装):TL3GB系列

 

 

  • 0.2-W级(3014封装):TL2FL系列

用于照明应用的0.2-W级白光LED
试验条件:IF=65mA,Ta=25℃

 

 

  • 0.2-W级(0.65×0.65 CSP):TL1WK系列

用于照明应用的0.2-W级白光LED
试验条件:IF=65mA,Ta=25℃

 

 

 

 

想要进一步了解代理商及其他产品信息,请造访诠鼎集团/振远科技www.aitgroup.com.tw

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