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三星Galaxy S5搭載 Infineon 射頻實現超高速資料傳輸

 2014-07-18

英飛淩科技有限公司全面支援三星 Galaxy S5,可提供共計 8 種射頻器件。該德國半導體製造商在 LTE 低雜訊放大器 (LNA)、四頻 LNA Bank、GPS LNA 和 SPDT 射頻開關等領域是理想的合作夥伴。


“智慧手機市場中的創新速度令人驚歎。快速提供更高集成度更小體積的新產品是成功的關鍵。三星等領先智慧手機製造商選擇我們為使用者提供可靠服務和更多功能,我們為此感到驕傲。”英 飛淩科技有限公司副總裁兼射頻與防護器件業務部總經理 Philipp von Schierstaedt 說道。

英飛淩 LTE LNA 和四頻 LNA Bank經過專門設計,在採用英飛淩的LTE LNA後,可使智慧手機資料傳輸速率明顯提高( 49%@10dB輸入信噪比),因 此能夠充分發揮 LTE 通信標準的潛能。 GPS LNA可有效防止手機中其他信號的干擾,確保可靠的導航功能。此外,選用英飛淩 SPDT 射頻開關可將射頻信號可靠地發送至指定路徑。

S5 是三星電子公司旗艦智能手機的最新型號。該款智慧手機配備兩個內置 Wifi 天線和一個下載加速器,結合 LTE 和 Wifi 資料傳輸即可實現無與倫比的資料傳輸速率。

正式發佈後的第一個月內,該款基於 Android 的智慧手機即已售出超過 1,100 萬部。

英飛淩為移動設備和蜂窩基礎結構提供大量產品組合,包括射頻器件、TVS 二極體、矽麥克風和功率管理 IC。

三星 Galaxy S5 包含下列英飛淩器件:

LTE LNA
(低雜訊放大器)
• BGA7L1N6
• BGA7M1N6
• BGA7H1N6

四頻 LTE LNA Bank
• BGM7MLLM4L12
• BGM7LLHM4L12

GPS LNA
• BGA824N6S

SPDT 射頻開關
• BGS12PL6
• BGS12SL6