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Vishay vPolyTan™低ESR聚合物电容器通过提高体积效率来减少元器件数量

 2017-04-26

器件具有业内最佳的电容密度和超低ESR,使用模塑EE(7343-43)外形编码

 

Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出新系列vPolyTan™多阳极聚合物表面贴装片式电容器。电容器提高了体积效率,可用于计算、通信和工业应用。T59系列使用了聚合物钽材料技术和Vishay拥有专利的多数组封装(MAP),具有业内最高的电容密度,并保持了一流的ESR性能。

 

日前发布的电容器使用模塑EE(7343-43)外形编码,单位体积的电容比同类器件高25%,能够实现更高的电容和电压等级。例如,这些电容器在30V下的电容为150μF,比最接近的对标器件的电容高三倍。另外,T59系列的封装十分先进,使器件在+25℃和100kHz条件下保持25mΩ~150mΩ的超低ESR。

 

器件的电容从15μF到470μF,电容公差为±20%,可承受75V的过电压。T59系列电容器可用在固态驱动器、网络设备和主板里,能取代多个较低电容的器件,减少元器件数量,节省电路板空间,降低成本。在这些产品当中,这些电容器可用于解耦、平滑、滤波和储能应用。

 

在100kHz下,T59系列的纹波电流从1.3A到3.1A,工作温度范围为-55℃~+105℃。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,提供无铅和锡/铅(Sn/Pb)卷包端接,采用符合EIA-481标准的卷带包装。电容器进行了100%的浪涌电流测试,确保在高涌入电流应用里的鲁棒性。