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英飞凌推出适合低/高功率高效率应用的高压 MOSFET

 2017-04-12

英飞凌科技股份有限公司扩增旗下 CoolMOS™ 技术产品系列,推出 600 V CoolMOS™ P7 和 600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7) 系列,能够以 600 V 崩溃电压运作,具有更佳的超接面 MOSFET 效能,可让各种目标应用达到无可比拟的功率密度。

 

600 V CoolMOS P7:高效率和易用性的最适组合
新推出的 P7 在一体化设计的流程中提供出色的易用性,基准的效率和最佳的性价比,目标应用包括充电器、适配器、照明、电视、PC 电源、太阳能、服务器、电信及 EV 充电等,可涵盖 100 W 至 15 kW 的功率等级。600 V CoolMOS P7 可在各种拓朴中实现多达 1.5% 的效率提升,温度改善亦较竞争产品多达 4.2°C。


600 V CoolMOS P7 产品拥有 37 mΩ 至 600 mΩ 的宽广通态电阻RDS(on) 范围,提供表面黏着 (SMD) 或插入型封装,适合多种应用与功率范围。此外,超过 2 kV (HBM) 的卓越 ESD 耐用性,可保护装置避免因生产过程中的静电放电而损坏,进而提升了制造质量。最后,强固的本体二极管则能在 LLC 电路的硬式换流事件中保护装置。

600 V CoolMOS C7 Gold:创新 SMD TO 无引线封装实现同级最佳 FOM
G7 具有更低的通态电阻 RDS(on)、最小的闸极电荷 QG、更低的输出电容储存电力以及 TO 无引线封装提供的4 接脚 Kelvin 源极功能,可将 PFC 与 LLC 电路的耗损降到最低,实现 0.6% 的效能提升,并提高 PFC 电路的全负载效率。低寄生源电感仅 1 nH,亦有助于提高效率水平。


TO 无引线封装拥有更佳的散热性,适用于更高电流的设计。而 SMD 技术则有利于节省黏着制程成本。此外,600 V CoolMOS C7 Gold 拥有业界最低的 RDS(on),介于 28 mΩ 至 150 mΩ。相较于传统的 D2PAK封装,其尺寸缩小 30%、高度减少 50%、空间节省 60%。综合上述特性,使本产品极适合应用于服务器、电信、工业与太阳能等需求最高效能与基准功率密度的应用。

供货情形
600 V CoolMOS P7 与 600 V CoolMOS C7 Gold 系列均已量产,亦可订购样品。详细信息敬请浏览 www.infineon.com/600v-p7www.infineon.com/c7-gold-toll


关于英飞凌
英飞凌科技股份有限公司是全球半导体领导厂商,致力于让生活更简单、更安全、更环保。英飞凌的微电子是进化未来的关键技术。2016 会计年度 (截至9月底),公司营收为 65 亿欧元,全球员工约 36,300 名。