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Vishay VRPower® DrMOS提供大电流、高效率和高功率密度

 2014-11-26

Vishay宣布,推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK® MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower®集成DrMOS新家族。Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A,尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%,但效率更高出3%,最高可达95%。这些器件封装的寄生参数比离散方案小,使开关频率可以达到1.5MHz,能有效提高功率密度,降低总体方案成本。

该器件包含的高端和低边TrenchFET® Gen IV N沟道低导通阻抗的MOSFET,先进的MOSFET驱动IC,以及自举的肖特基势垒二极管,全部集成在小尺寸25mm2面积内。SiC620的驱动IC兼容各种PWM控制器,支持5V和3.3V的三态PWM逻辑。

SiC620家族完全符合DrMOS 4.0标准,针对笔记本电脑、服务器、游戏机、图形适配器、交换机和存储系统,以及其他采用CPU的高功率系统中的高功率、多相降压稳压器,以及大电流的非隔离负载点模块。Buck变换器在12V输入时是最优的,输入电压可以从4.5V到16V的范围,PWM传输延迟小于20ns。器件具有优异的散热性能,工作温度比前一代方案的温度低50℃以上。

器件的驱动IC集成了零电流检测电路,可以改善轻负载条件下的效率,且自我调整式死区时间控制有助于进一步提高所有负载点下的效率。保护功能包括欠压锁定(UVLO)、击穿保护和过热警告以便在结温过高时向系统发出告警。

 

WPI-VISHAY__SiC620