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意法半导体(ST)的先进半导体技术为未来行动网络基础设施奠定重要根基

 2015-09-02

意法半导体基于BiCMOS的射频收发器可让行动网络回程线路数据速率高达10Gbps,同时提升毫米波段的频谱效率

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)的BiCMOS55 SiGe 先进技术获欧洲E3NETWORK研发项目采用,用于开发适合下一代行动网络的高效率、高容量数据传输系统。

为因应行动数据使用量的迅速成长,网络系统必须支持更大的容量及更高的数据传输速率。而如何加快行动网络向先进网络架构转型的速度,对回程线路(backhaul)基础设施是一个新的挑战,例如异质网络(Heterogeneous Network)与云端无线存取网络(Radio Access Network,RAN),其中更高频段(例如E-band )可提供更广泛的频谱,以支持更快的数据传输信道。

建设这些超高效率的行动网络,设备厂商必须要拥有高性能且低功耗、低成本的大规模整合电路电子组件。E3NETWORK研发项目利用意法半导体的高整合度、低功耗BiCMOS55Si制程,开发出55奈米微影的Ft高达320GHz的异质接面双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistors,HBT)。这项制程允许在一颗芯片上整合高频模拟模块及高性能、高容量的数字模块,例如逻辑电路、AD/DA转换器和内存。

E3NETWORK项目采用意法半导体的BiCMOS55制程,目前正在研发一个整合化的E-band收发器,将用于去程线路(Fronthaul)及回程线路网络基础设施,以实现数字多层调变,及高度聚焦的笔形束(Pencil-beam)传输,数据速率可高达10Gbps。笔形束的特性有助于提高回程线路及去程线路网络频率再使用率,同时在毫米波段(millimeter-wave)间隔期间确保频谱效率(Spectrum efficiency)不受影响。

作为欧盟第7框架计划中的一项项目,E3NETWORK (Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks)汇集了众多企业,其中包括CEIT(西班牙)、Fraunhofer(德国)、阿尔卡特朗讯(意大利)、CEA(法国)、INXYS(西班牙)、OTE (希腊)、SiR(德国)、Sivers IMA(瑞典)以及意法半导体(意大利)。