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N 溝道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V、76 A、41 mΩ FCH041N60F

 2017-08-09

【產品特性】

‧RDS(on)= 36mΩ(典型值)
‧超低柵極電荷(典型值 Qg=277nC)
‧低效輸出電容
‧100% 經過雪崩擊穿測試

【產品應用】

‧AC-DC商用電源
‧AC-DC商用電源-伺服器和工作站
‧發電和配電
‧外部AC-DC商用電源-數據處理

【文字介紹】

SuperFET® II MOSFET 是安森美半導體利用電荷平衡技術實現出色的低導通電阻和更低柵極電荷性能的全新高壓超級結 (SJ) MOSFET 系列產品。 這項技術專用於最小化導通損耗並提供卓越的開關性能、dv/dt 額定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET MOSFET 非常適合開關電源應用,如功率因數校正(PFC)、伺服器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源及工業電源應用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 優化體二極體的反向恢復性能可去除額外元件,提高系統可靠性。