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超场截止型IGBT NGTB40N120FL3

 2017-01-18

【产品特性】

‧极高能效沟槽采用超场截止技术
‧TJmax=175 °C
‧软快速恢复二极管
‧针对高速开关而优化

【产品应用】

‧焊接

【文字介绍】

NGTB40N120FL3 IGBT采用强固和具性价比的超场截止沟槽架构,在要求严格的切换应用中提供出色的性能,提供低导通电压和最小切换损耗。采用共同封装的、具有低正向电压的软快续流二极管。