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安森美半導體推出全新電源模組 為太陽能和工業電源應用提供高能效與空間節省的方案

 2018-12-05

新型功率整合模組將在Electronica展出,搭配最新智能功率模組、MOSFET、IGBT和整合馬達驅動器,用於電源轉換和馬達控制

 

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor),日前推出全新功率模組,在高度整合和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能,新增至公司現已強固的電源半導體元件產品組合。

 

太陽能逆變器(inverter)、不斷電系統(uninterruptable power supply;UPS)逆變級和工業變頻驅動器(variable frequency drive;VFD)等應用中的功率級通常由離散(discrete)的IGBT/MOSFET整合專用驅動器和額外離散元件構成。安森美半導體全新NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率整合模組(PIM)提供緊湊、高度整合的方案,採用易於貼裝(mountable)的封裝,節省空間與降低成本,極大化地減輕設計人員的挑戰。

 

這些元件採用Q1和Q2封裝,用於30 KW和50 KW逆變器,整合場截止(field stop)溝槽式(trench)IGBT和快速恢復二極體,提供更低的傳導(conduction)和開關損耗,並使設計人員能夠在低VCE(SAT)和低EON / EOFF損耗間折衷,以充分最佳化電路性能。直接覆銅(direct bond copper;DBC)基底(substrate)支援大電流,最大限度地降低寄生電感(parasitic inductances)的影響,使設計人員實現高開關速度,以及以12.7 mm的爬電距離(creepage distance)提供3000 Vrms的隔離電壓。

 

此外,安森美半導體亦推出全新充分最佳化、超緊湊的智能功率級(smart power stage;SPS)多晶片模組FDMF3170,用於伺服器、資料中心、人工智慧加速器和電信設備中的DC-DC 降壓轉換器。其整合兩個基於安森美半導體PowerTrench®技術的高性能功率MOSFET,與一個具高精準電流感測器的智能驅動器以實現最佳處理器性能。