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N 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V、76 A、41 mΩ FCH041N60F

 2017-08-09

【基本数据】

【产品特性】

‧RDS(on)= 36mΩ(典型值)
‧超低栅极电荷(典型值 Qg=277nC)
‧低效输出电容
‧100% 经过雪崩击穿测试

【产品应用】

‧AC-DC商用电源
‧AC-DC商用电源-服务器和工作站
‧发电和配电
‧外部AC-DC商用电源-数据处理

【文字介绍】

SuperFET® II MOSFET 是安森美半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此,SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用,如功率因子校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外组件,提高系统可靠性。