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Vishay將所有SOIC-8光耦合器的絕緣能力擴展到4000V

 2007-10-17

日前,為不斷拓寬大多數小型光耦合器的目標應用,Vishay Intertechnology, Inc.宣佈,其所有採用 SOIC-8 封裝的光耦合器均已進行了升級,可提供 4000V 絕緣電壓及 6000V 額定脈衝電壓 (VIOTM).

為滿足對高密度應用中更高額定值絕緣器件的不斷增長的需求,Vishay 提供了眾多採用 SOIC-8 封裝的光耦合器。這些器件包括具有光電電晶體及光電複合電晶體輸出的單通道及雙通道器件,以及高達 10MBd 的高速器件。

通過提供更高的絕緣及脈衝電壓,這些器件可使設計人員使用小型器件滿足更高的絕緣要求。SOIC-8 封裝所需的板面空間比 SMD DIP-8 少 50%,從而可降低成本以及實現更小終端產品的生產。SOIC-8 封裝還消除了通孔需求,並且符合表面貼裝器件標準。

Vishay 的 SOIC-8 光耦合器專為數位現場匯流排絕緣、邏輯與類比信號接地絕緣、高速數模與模數、ATE I/O 絕緣及電話鈴流信號檢測應用而進行了優化。典型終端產品包括 PLC(可編程邏輯控制器)、工業自動化設備、儀錶、電信設備及電源。