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PowerPAK® SO-8L封裝的Vishay 600V和650V E系列MOSFET提高可靠性並減小封裝電感

 2017-10-25

MOSFET節省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的器件,適用於照明、計算和消費應用

 

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣佈,推出3顆採用小尺寸PowerPAK® SO-8L封裝的N溝道器件,擴充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65ESiHJ7N65E更省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET,具有高可靠性和小封裝電感,可用於照明、工業、電信、計算和消費應用。

 

日前推出的MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發,表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS,無鹵素,無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mm x 6mm,占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且,與無引線DFN封裝的MOSFET相比,在整機設備的使用壽命內碰到溫度迴圈情況時,PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結構能有效提高板級的可靠性。

 

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結技術製造,在10V下的最大導通電阻只有0.52Ω,柵極電荷低至17nC,導通電阻與柵極電荷乘積更低,該參數是評價功率轉換應用中MOSFET的優值係數。在功率因數校正、反激、雙管正激轉換器,以及HID和LED照明、工業、電信、消費和計算類應用的電源適配器等硬開關拓撲中,這些參數意味著MOSFET能實現極低的傳導和開關損耗,有效節約能源。

 

MOSFET可承受雪崩和換相模式中的高能脈衝,保證限值通過100%的UIS測試。

 

器件規格表:

產品編號

VDS (V)

VGS (V)

ID (A) @ 25 °C

RDS(ON) () @ 10 V (最大值)

Qg (nC) @ 10 V

(典型值)

SiHJ8N60E

600

± 30

8.0

0.520

22

SiHJ6N65E

650

± 30

5.6

0.868

16

SiHJ7N65E

650

± 30

7.9

0.598

22