派恩傑半導體擁有深厚的技術底蘊和全面的產業鏈優勢，創始人黃興博士于09年起深耕於碳化矽和氮化鎵功率器件的設計和研發，師承IGBT發明人B. Jayant Baliga教授和ETO晶閘管發明人Alex Q. Huang教授。目前，派恩傑半導體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發佈100餘款不同型號的碳化矽二極體、碳化矽MOSFET、碳化矽功率模組和GaN HEMT產品，量產產品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統、工業應用等領域廣泛使用，為各個應用領域頭部客戶持續穩定供貨，且產品品質與供應能力得到客戶的廣泛認可。