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Toshiba东芝推出低高度封装轨对轨输出栅极驱动光电耦合器

 2014-10-29

    Toshiba东芝公司推出采用低高度SO6L封装的轨对轨输出栅极驱动光电耦合器,用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。

 

    新款光电耦合器包括用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它们均采用低高度SO6L封装。与采用DIP8封装的东芝产品相比,新产品的高度仅为前者的54%,安装面积仅为前者的43%,有助于开发更纤薄小巧的装置。尽管高度较低,但新产品依然保证了8mm的漏电距离和5kV的绝缘电压,适用于对绝缘规格要求较高的应用。

 

    电气特性方面,新款光电耦合器拥有轨对轨输出,在全摆动输出状态下可透过扩大操作电压范围来实现更高的效率。新产品提供1A、2.5A和4A三种输出电流,以满足广泛的用户需求。新产品还内建东芝独创的高功率红外LED,适用于多种应用,包括需要高度热稳定性的应用,例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源(UPS)。

新产品主要规格

产品型号

TLP5751

TLP5752

TLP5754

峰值输出电流

±1.0A

±2.5A

±4.0A

供电电压

15~30V

电源电流

3mA(最大值)

阈值输入电流

4mA(最大值)

传播延迟时间

150ns(最大值)

传播延迟偏差

80ns(最大值)

轨对轨输出

预装

VUVLO功能

预装

漏电距离

8mm(最小值)

绝缘电压

5000Vrms(最小值)

共模瞬态抑制

±35kV/µsec

工作温度范围

-40~110ºC

适用功率设备

低功率IGBT(最高20A级)和功率MOSFET

中等功率IGBT(最高80A级)和功率MOSFET

中等功率IGBT(最高100A级)和功率MOSFET

 

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