新聞中心

意法半導體推出新款超結MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率電晶體

 2016-09-21

ST推出一系列採用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率電晶體,其中包括採用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。

 

電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵,導致功率電晶體引腳之間產生高壓電弧放電現象,TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率電晶體的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規封裝時,需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工藝,這款新封裝將引腳間距擴至4.25mm,讓電源廠商能夠滿足現行安全標準,將現場電源故障率降至最低,而無需使用這些附加的防電弧工藝,從而簡化了製造過程,提高了生產效率。

 

在提供優異的防電弧功能的同時,TO-220FP爬電還保留了深受市場歡迎的TO-220FP的出色電特性。此外,相似的外觀尺寸還可以簡化安裝問題,確保符合現有安裝流程。

 

TO-220FP寬爬電間距封裝是意法半導體與其客戶——韓國知名電源廠商SoluM的合作開發成果。SoluM 正在使用這款優異封裝開發穩健性和成本效益高於競品的電源解決方案。

意法半導體TO-220FP寬爬電功率電晶體目前進入量產準備階段,支援一家全球主導電視廠商開發新產品。新系列產品包括四款完全達標的600V低導通電阻RDS(ON) MDmesh™ M2 MOSFET電晶體,額定電流8A至34A。1500V STFH12N150K5和1200V STFH12N120K5 MDmesh K5產品預計將於2016年第三季度前參加相關認證測試。

 

詳情訪問:www.st.com/mosfet.