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Diodes_達爾科技推出DFN1212-3包裝的MOSFET

 2011-12-28

產品描述

Diodes公司近日宣布引進的第一個微型DFN1212- 3封裝的MOSFET。隨著環境的熱電阻(Rthj一)130 °C / W包支持的權力耗散1W下連續條件,確保顯著較涼的運行速度比,實現與現有足跡兼容SOT723由一個特點的替代品。Rthj性能280ºC / W。

 

僅佔1.44平方毫米印刷電路板面積和0.5毫米板外高度的熱少高效的SOT723封裝的MOSFET的,這些無鉛DFN1212- 3包裝的替代品是一個下拉更換高可靠性信號和負載開關應用廣泛的高可攜消費電子產品產品包括照相機,平板電腦和智能手機。

該組合包括兩個N溝道和P溝道器件20V的擊穿電壓(VDS),用於各種30V和60V可靠性高,負荷開關,信號開關或升壓轉換電路功能。20V額定DMN2300UFD的N -溝道MOSFET例如,一個典型的RDS(ON)只是150mΩ的性能,幫助顯著降低傳導損耗和功耗。

 

產品優勢

•佔空間面積小

•薄型高度

•高熱效封裝

•低導通電阻

產品應用

•Signal switching

•Load switching

•Boost conversion

•Smart phones

•Thin LED TV

•Tablet PC’s

•Headsets

 

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