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新款Infineon射頻功率晶體提供700兆赫頻段的最高的功率峰值

 2008-07-09

通訊 IC與解決方案領導廠商英飛凌科技  (Infineon Tech-nologies AG ,FSE/NYSE股票代號IFX)宣佈推出新款 700 MHz 頻段無線基礎設施專用射頻功率晶體系列。 這個頻段將在美國用來導入 4G(第四代)行動電話、行動電視廣播與其他行動寬頻服務,包括下一代的無線網路標準-LTE(長期演進技術)。 這款新元件再次擴充英飛凌射頻功率晶體的龐大陣容,包含一顆 55 W 驅動器及兩顆輸出級電晶體(170W 與 240W),提供業界700 MHz頻段中功率峰值最高的高頻晶體。

這款系列採用英飛凌先進的 LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)製程技術,提供內部輸入與輸出寬頻匹配與高線性度,簡化放大線路的設計, 非常適合用於道赫迪(Doherty)放大器,這種放大器結合了載波放大器與峰值放大器,可有效提升放大器的功率。 在行動電話與無線網路系統設計上,道赫迪放大器愈來愈受到重用。

「有愈來愈多的消費者要求在使用無線網路時,要擁有與固網連線一樣的體驗與功能,」英飛凌科技射頻功率部門副總裁兼總經理赫穆特弗格勒 (Helmut Vogler) 表示, 「 700兆赫頻段的通信網路可將網際網路應用功能悉數從固網移植到無線網路,包括網路電話、視訊串流、音樂下載和行動電視。 我們新型 700 MHz 射頻功率晶體能協助建造必備之基礎設施,以支援新一代消費性電子裝置對新型行動應用模式的需求」。

詳細規格
具標準雙音 PEP (峰值包絡功率)效能、供電電壓 28 V的英飛凌的 PTFA070551E/PTFA070551F 55 W FET,擁有 18.5 dB 增益與 48 % 的效率值。 PTFA071701GH/PTFA071701HL 170 W FET 則擁有 18 dB增益與 40 % 的效率。
供電電壓 30 V、具標準雙音PEP效能的 PTFA072401E/ PTFA072401F 240 W LDMOS,具有 18 dB增益與 40% 的效率 。
所有產品都不含鉛,相容於 RoHS 標準,耐熱增強型,開槽或無耳凸緣開放腔封裝,具有在 CW(連續波)輸出功率下處理10:1 VSWR(電壓駐波比)的能力。

供貨時程與售價
新型700 MHz 射頻功率晶體樣本已可出貨,量產時間預定在2008年第4季。產品售價請洽英飛凌業務代表。