意法半導體快速恢復的超結MOSFET為電橋和ZVS轉換器帶來卓越性能
2019-01-31
意法半導體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極體，將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉換器等通常需要一個穩定可靠的二極體來處理動態dV/dt的應用和拓撲結構裡。
MDmesh DM6 MOSFET利用意法半導體先進的載流子壽命控制技術減少反向恢復時間(trr)，最大限度地降低續流後關斷期間二極體的耗散功率。優化的恢復軟度增強了產品可靠性。此外，極低的柵極電荷(Qg)和導通電阻(RDS(ON))以及針對輕負載優化的電容曲線，使應用能夠實現更高的工作頻率和更高的能效，簡化熱管理設計並降低EMI干擾。
這些新器件非常適用於電動汽車充電樁、電信設備或資料中心電源轉換器和太陽能逆變器等，更穩定的性能和更高的功率密度讓應用設計的電能額定參數更加優異。
MDmesh DM6系列屬於STPOWER™產品組合，全系共有23款產品，額定輸出電流範圍15A至72A，柵極電荷(Qg) 20nC至117nC，RDS(ON)電阻0.240 Ω至0.036 Ω，採用主流的功率封裝，包括新的低電感無引線TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247，其中TO-247配備短引線、長引線或Kelvin引腳，適合有精密電流檢測需求的應用。
MDmesh DM6系列現已量產，若想瞭解價格和索取樣片，請聯繫當地的意法半導體辦事處。
詳情訪問www.st.com/stpower。
