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Vishay發布用於同步降壓應用的業內首批通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

 2018-11-21

Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,推出業內首批通過AEC-Q101認證的採用雙片不對稱功率封裝的12V和20V MOSFET,可在汽車應用的高效同步降壓轉換器中節省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET®器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L雙片不對稱封裝里,低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。

 

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個不對稱封裝里,尺寸較大的低邊MOSFET導通電阻較低,較小的高邊MOSFET開關速度更快,可替換性能較低的標準雙片器件,而標準器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設計使用最優的MOSFET組合。相比於使用分立器件,這兩顆器件占用的電路板空間更少,能實現更小尺寸的PCB設計。

 

今天發布的器件可在+175℃高溫下工作,能夠滿足信息娛樂系統、車載信息服務、導航和LED照明等汽車應用對耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合總線電壓 8V的應用,通道2的低邊MOSFET的最大導通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應用,最大導通電阻為3.7mΩ,稍高一些。兩顆器件都進行了100%的柵極電阻和雪崩測試,符合RoHS,無鹵素

 

器件規格表:

產品編號

SQJ202EP

SQJ200EP

通道

1

2

1

2

VDS (V)

12

20

RDS(ON) (W)

最大值

@ VGS = 10 V

0.0065

0.0033

0.0088

0.0037

@ VGS = 4.5 V

0.0093

0.0045

0.0124

0.0050

Qg (nC)典型值

@ VGS = 10 V

14.5

35.9

12

29

ID(A)

20

60

20

60

 

SQJ200EP和SQJ202EP現可提供樣品,並已實現量產。