輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器 FOD3184::零件採購::大聯大控股

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輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器 FOD3184

 2018-02-07

【基本資料】

【產品特性】

‧ 具有35kV/µs共模抑制特點的高抗噪能力
‧ 保証工作溫度范圍為-40°C至100°C
‧ 為中等功率的MOSFET/IGBT提供最低3A的峰值輸出電流
‧ 快速開關速度
‧ 210ns(最大值) 傳播延遲
‧ 65ns(最大值) 脈寬失真度
‧ 快速輸出上升/下降時間
‧ 提供較低的動態功耗

【產品應用】

‧ AC-DC商用電源
‧ 發電和配電
‧ 工業級馬達
‧ 不間斷電源

【文字介紹】

FOD3184是輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器。 它由鋁砷化鎵(AlGaAs)發光二極管(LED)組成,該二極管與具有PMOS和NMOS輸出功率晶體管集成電路功率級的CMOS感測器進行光耦合。 它非常適用於等離子顯示板(PDP)中使用的高頻驅動的功率MOSFETS/IGBT、電機控制逆變器以及高性能的DC-DC轉換器中。
該器件封裝在8引腳雙列直插式外殼內,兼容260°C回流焊接工藝,符合無鉛焊接的規定。