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汽车高速数据线的低电容ESD保护 NIV2161

 2018-04-18

【基本数据】

【产品特性】

‧低电容(0.65 pF典型,I / O至GND)
‧I / O之间的二极管电容匹配:典型值为1%
‧优化布局以实现出色的高速信号完整性
‧IEC标准的保护IEC 61000-4-2(等级4)
‧低ESD钳位电压
‧短路到电池和短路对GND保护

【产品应用】

‧汽车高速信号对
‧USB 2.0 / 3.0
‧LVDS
‧APIX 2
‧HDMI

【文字介绍】

NIS / NIV2161设计用于保护高速数据线免受ESD影响,同时保护车辆电池。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案,而低RDS(on)FET限制信号线上的失真。流通式封装允许简单的PCB布局和匹配的走线长度,以保持高速差分线(如USB和LVDS协议)之间的一致阻抗。