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品佳集團力推英飛凌1200V 碳化矽MOSFET,協助電源轉換方案開發人員節省空間、減輕重量、降散熱要求,並提高可靠性和降低系統成本

 2018-02-07

品佳集團代理產品線英飛凌推出革命性的1200 V SiC MOSFET,使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助於電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求,並提高可靠性和降低系統成本。

全新MOSFET融匯了多年SiC半導體開發經驗,基於先進的溝槽半導體工藝,代表著英飛凌CoolSiC 產品家族的最新發展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻(RDS(ON))額定值為45 mΩ。它們將採用3引腳和4引腳TO-247封裝, 4引腳封裝有一個額外的源極連接端子(Kelvin),作為門極驅動的信號管腳,以消除由於源極電感引起的壓降的影響,這可以進一步降低開關損耗,特別是在更高開關頻率時。

另外,英飛凌還推出基於SiC MOSFET技術的1200 V‘Easy1B’半橋和升壓模塊。這些模塊採用PressFIT連接,有良好的熱界面、低雜散電感和堅固的設計,每種封裝的模塊均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)額定值選項。



Lead Products:


【特色】
英飛凌的CoolSiC™ MOSFET 採用溝槽柵技術,兼具可靠性與性能優勢,在動態損耗方面樹立了新標杆,相比1200 V矽(Si)IGBT低了一個數量級。該MOSFET完全兼容通常用於驅動IGBT的+15 V/-5 V電壓。它們將4 V基準閾值額定電壓(Vth)與目標應用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結合起來。與Si IGBT相比的關鍵優勢包括:低溫度係數的開關損耗和無閾值電壓的靜態特性。

這些電晶體能像IGBT一樣得到控制,在發生故障時得以安全關閉,此外,英飛凌碳化矽MOSFET技術可以通過柵極電阻調節來改變開關速度,因此可以輕鬆優化EMC性能。

【規格


【應用】
當前針對光伏逆變器、不間斷電源(UPS)或充電/儲能系統等應用的系統改進,此後可將其範圍擴大到工業變頻器。

若需任何產品詳情, 請洽以下品佳集團 Infineon 產品線企劃人員,
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