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SAMSUNG NAND TLC 新世代來臨

 2011-01-26
在NAND Flash TLC(Triple-Level

Cell

)

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製程競局, 三星電子(Samsung Electronics),近期宣布32奈米製程TLC

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量產,一舉領先目前停留在43奈米製程的東芝,至於英特爾(

Intel

)和美光(Micron)亦宣布TLC

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將於2009年底量產。記憶體業者表示,2010年光是三星和東芝所掀起TLC應用,預計在低階隨身碟和記憶卡市場將會有70~80%

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被TLC產品替換。
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三星宣布量產TLC

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以32奈米製程切入,令業界相當意外,目前看來三星在30奈米製程世代係採分進合擊策略,32奈米製程生產TLC

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,35奈米製程則生產MLC

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,顯見這次三星對於一舉追上東芝製程技術,在檯面下已醞釀許久。

至於英特爾和美光陣營方面,日前亦信誓旦旦宣布,將在2009年底量產TLC

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,但業界透露,該陣營內部對於是否轉入TLC世代,看法仍分歧,部分人員認為現在應集中資源進入20奈米製程世代,而非去作TLC這種只能用在低階產品的技術,等到20奈米製程量產後,要再進行製程微縮難度增加時,再去生產TLC產品。

根據英特爾和美光內部規畫,2010年初將量產20奈米製程產品,屆時應會再去考量TLC

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生產時程,因為這樣規畫仍可以在技術上領先三星和東芝,但不需要現在就急著去淌TLC技術渾水。此外,業界亦傳出英特爾和美光陣營仍可能搶先量產TLC

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,但暫時只供給美光旗下記憶卡公司Lexar使用,暫不會大量對外販售。

海力士(Hynix)方面,目前TLC製程技術還未成熟,由於其在NAND Flash市場影響力已逐漸降低,因此,將難以影響大局,目前海力士主流製程將由41奈米轉移至35奈米。記憶體業者認為,三星和東芝TLC

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量產後,2010年低階快閃記憶卡和隨身碟約有70~80%

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都會被TLC

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替換,對於NAND Flash市場將會是另一波衝擊,未來隨身碟和記憶卡勢必越來越便宜,但NAND Flash這樣降價趨勢,對於固態硬碟(SSD)市場卻是完全沒幫助,因為TLC

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成本雖然較MLC

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大幅降低,但效能亦同步銳減,無法應用在SSD產品上。

值得注意的是,隨著TLC時代來臨,三星在4GB和8GB小型記憶卡microSD供貨量可望倍增,再次奪回microSD供應龍頭寶座,其中,在4GB產品上,三星只要採用1顆32Gb TLC

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,勝過競爭對手要用2顆16Gb

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堆疊,可避免堆疊造成良率流失,而在8GB容量記憶卡上,則可用2顆32Gb TLC

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,因此,預計8GB小型記憶卡供貨量會倍增,將整個microSD市場推至高容量世代,

終端

消費者將是最大受益者。

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