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Samsung_Memory 三星LPDDR2進入35nm製程

 2011-05-11
由於平板電腦與智慧型手機的普及化,使用高效能處捚器的這些行動裝置必需使用LPDDR2的Mobile DRAM,才能展現出高效率的執行速度及HD、Full HD的畫質,因此被市場大為看好,LPDDR主要供應商之一的三星已投入35nm製程的技術,生產新一代的4Gb LPDDR2。
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4Gb LPDDR2除了傳輸速度從46nm製程的2Gb LPDDR2由800Mbps提升到1066Mbps之外,由於單顆記憶體晶片的容量增加及製程進步,使得8Gb LPDDR2的封裝,厚度從原本舊製程的1.1mm可以縮小為0.8mm,而作業時的電源功耗還能減少17%,系統閒置時更能減少40%。

三星35nm LPDDR2規格簡介

- JEDEC標準封裝
- 速度: 800/1066Mbps
- 容量: 4Gb, 8Gb, 16Gb
- Burst Length: 4, 8, 16
- VDD/VDDQ電壓: 1.2V/1.2V

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