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英特爾針對低功耗需求最佳化的雲端專用儲存產品,為受電力與空間限制的雲端儲存解決方案所量身設計

 2017-06-06

 

    現在的雲端環境不斷推動創新、新型服務、以及靈活的經營模式,因此,用戶除了要快速佈建服務、有效率地擴充、還要降低管理資產的人力成本。軟體定義(software-defined)以及融合式基礎架構(converged infrastructure)是協助企業達成上述目標的雲端解決方案重心。此外,現今的資料中心大多面臨空間與電力有限的挑戰。

 

    為因應這些挑戰,英特爾推出各種規格的固態硬碟(solid-state drive,SSD),針對空間與耗電進行最佳化設計,讓解決方案的設計人員能有多元的選擇,藉以降低營運費用、提高靈活性、以及降低資金成本。

 

針對雲端儲存最佳化的高效能省電型固態硬碟

    Intel®固態硬碟資料中心P4501系列 (Intel® Solid State Drive Data Center P4501 Series)為第2代Intel® 3D NAND固態硬碟系列,結合英特爾自行研發的新款控制晶片、加入多項創新獨家韌體、領先業界的3D NAND密度,融入各種高效率、低功耗、以及小型的產品設計。這些固態硬碟除了針對雲端與軟體定義基礎架構進行最佳化,還協助資料中心讓每台伺服器執行更多任務。為了將服務中斷發生率降到最低,並協助IT管理者有效率地執行大規模管理,Intel®固態硬碟資料中心DC P4501系列整合了領先業界的可靠度、耐用效能、以及各種先進的管理功能。

 

    Intel®固態硬碟資料中心P4501系列除了針對雲端儲存解決方案的讀取密集作業進行最佳化之外,還將處理器使用率發揮到極致。新款固態硬碟搭載的控制晶片最高支援128個佇列,將處理器核心閒置風險減到最低,並能在內含Intel® Xeon®處理器的平台上發揮最高的運行效率。

 

針對空間與電力效率進行最佳化的解決方案

    推出U.2 (2.5 吋 x 7釐米) 與M.2 (110釐米) 兩種規格的Intel®固態硬碟資料中心P4501系列,讓資料中心針對空間與用電效率進行最佳化。新款固態硬碟將4TB的儲存容量裝到僅7釐米薄的U.2規格裝置,讓資料中心能在現在的PCIe介面*固態硬碟所佔用的設備空間中,多擴充4倍的儲存容量註二 。這樣的空間效率讓資料中心提高機架(rack)運算容量,以因應新作業負載需求或提高儲存密度。

 

管理功能發揮極致IT效率

    Intel®固態硬碟資料中心P4501系列專為提高IT效率而設計,且不增加伺服器佔地面積。新增的韌體管理功能包括改良式韌體更新、健康監視、以及安全抹除(secure erase),透過改進更新流程以及擴增監視功能,以協助降低伺服器的停機時間。此外,Intel® 固態硬碟資料中心P4501在平台層面相容於Intel® Volume Management Device (Intel® VMD),不僅能無縫管理各種PCIe介面的NVMe*固態硬碟,還能強化服務能力和熱插拔功能,在抽換固態硬碟時能把服務中斷的時間減到最短。

 

    SMART管理與英特爾客製化的日誌頁(log pages)紀錄,提供先進的遠端遙測功能,可管理發熱、監視耐用度、以及追蹤固態硬碟的健康狀況。管理功能範圍現擴充到更多的固態硬碟,且支援NVM Express*管理介面(NVMe-MI)規格,採取業界標準模式,透過頻帶外(out-of-band)方式管理固態硬碟,即使伺服器處於休眠或關機狀態時也能遠端管理。

 

領先業界的可靠度與安全性
    隨著每台伺服器的容量持續擴充,資料毀損與錯誤的風險也隨之提高。面對這方面的挑戰,英特爾將領先業界的端至端(end-to-end)資料防護機制融入Intel®固態硬碟資料中心P4501系列。避免對大型企業造成災難性的停機與錯誤事件發生,如資料看得到卻讀不出的無聲資料毀損(silent data corruption)。

 

    斷電保護(Power Loss Imminent,PLI)能針對意外斷電狀況提供預防機制,結合電源管理晶片、電容(capacitor)、韌體演算法、以及內建PLI自我測試功能,建構出此專利技術。英特爾的PLI功能讓資料中心能在遭遇斷電意外時避免資料毀損。

 

運用低功耗儲存解決方案讓資料中心支援未來的需求

    Intel®固態硬碟資料中心P4501系列的設計與Intel®固態硬碟資料中心P4500系列一樣是專為雲端環境所設計,低功耗的P4501系列打造出省電且節省空間的儲存解決方案,協助資料中心讓每台伺服器執行更多任務、將服務中斷減至最低、並能有效率地執行大規模管理。

 

想瞭解更多資訊敬請瀏覽官網www.intel.com/ssd

 

規格整理表

容量

500 GB、1 TB、2 TB、4 TB等版本

效能註三

64K 循序讀取/寫入:最高可達3,200/900 MB/s

4K 隨機讀取/寫入:最高可達360,000/46,000 IOPS

管理功能

支援NVM Express*-管理介面 (NVMe*-MI)、NVMe* SMART/健康與日誌分頁

可靠性註四

端至端的資料保護,防範無聲資料毀損;每1017 位元的讀取PLI,無法修正位元錯誤率不到1個磁區,能在斷電狀況下有效保護資料

介面

PCIe* 3.1 x4、NVMe* 1.2

尺寸規格

U.2  2.5英寸x 7 釐米(針對可服務性、熱插拔、以及高密度環境)

M.2  110 x 22釐米(針對超高密度環境)

媒體

Intel 3D NAND、三層式儲存(Trinary-Level Cell,TLC)

耐用度

隨機/JEDEC可達1 DWPD (每日寫入量)或5 PBW(生命週期內總寫入量),循序寫入可達3 DWPD或20 PBW

可調最大功率

U.2:8、10、12.5瓦

M.2:6至8.25瓦

待機功率

U.2 版本低於5瓦

M.2 版本低於3瓦

保固

5年保固

 

產品與效能資訊

文中提及成本降低情境,旨在舉例闡述內含英特爾裝置的產品在特定情況與組態下的表現,可能影響未來成本以及提供節省成本的好處。實際情況可能有所變化。英特爾不保證節省多方面或單方面的成本。

英特爾技術的各項特色與優點端視系統組態而定,可能需要用到有支援該技術的硬體、軟體、或啟用相關服務。效能視系統組態而異。詳情請洽詢系統製造商或零售商,也可瀏覽官網www.intel.com。

英特爾聲明並無以明示與暗示方式提供保證,包括但不限於:對產品適售性的暗示保證; 符合特定用途; 未侵權、以及使用情況、交易過程、或商業慣例衍生的任何保證。

 

註一、空間/容量比較: 2 TB 的U.2 15mm Intel®固態硬碟資料中心P3520 最高容量48 TB ,對比4 TB 的U.2 7mm Intel®固態硬碟資料中心P4501,能擴充到192 TB。

註二、電力效率容量。資料來源– 英特爾與臉書。Facebook Lightening JBOF: https://code.facebook.com/posts/989638804458007/introducing-lightning-a-flexible-nvme-jbof/. Intel –Intel® 固態硬碟資料中心P4500 與Intel® 固態硬碟資料中心P4501產品規格。每個機架密集配置24U伺服器,每個機架單元裝入15部 4 TB 固態硬碟。DC P4500 48U機架的儲存裝置耗用9kW (24單元x 每單元15 顆固態硬碟/每個固態硬碟25瓦) ,而DC P4501 機架僅耗電3.6 kW (24單元x 每個單元15 顆固態硬碟/每個固態硬碟10瓦)。

註三、受測系統組態: Intel® Server Board S2600WTTR主機板; Intel® Xeon® E5-2699 v3處理器時脈速度: 2.30GHz; Intel BIOS: Internal Release內部版; DRAM記憶體: DDR3 – 32GB; 作業系統: Linux* Centos* 7.0 kernel 4.8; Intel® 固態硬碟資料中心P4500系列固態硬碟1 TB、2 TB、與4 TB版本。測試由英特爾執行。

註四、資料來源:英特爾。端至端的資料保護是指運用一整套方法來偵測與修正整條通道上資料的完整性,涵蓋主控端、固態硬碟控制晶片、以及媒體之間進行的讀取或寫入作業。受測系統包括Intel® 固態硬碟資料中心S3520、Intel® 固態硬碟資料中心P3520、Intel® 固態硬碟資料中心P3510、Intel® 固態硬碟資料中心P4500、Samsung PM953、Samsung PM1725、Samsung PM961、Samsung PM863、Micron* 7100、Micron 510DC、Micron 9100、HGST* SN100、Seagate* 1200.2、SanDisk* CS ECO等。文中提及資料是根據英特爾固態硬碟的錯誤率對比其他廠商固態硬碟錯誤率的平均值。運用中子幅射技術判斷無聲資料毀損率,以及量測整體端至端資料保護的效力。因固態硬碟控制晶片故障導致資料毀損的成因包括離子化幅射、訊號雜訊與串音、以及SRAM不穩定等。無聲錯誤率的衡量方法,包括在運行時以及固態硬碟「當機」後重開機,比較兩種狀態下預期資料及固態硬碟傳回的實際資料。資料毀損的年發生率是推算而得,將加速期間的發生率,除以射線的加速(請參閱JEDEC標準JESD89A)。

 

Intel、Intel標誌、與Xeon是英特爾或旗下子公司在美國與其他國家的商標。

*其他品牌和名稱為其所屬公司的資產。