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德州儀器600V GaN FET功率級徹底改變高效能電力轉換

 2016-07-21

TI製造、首款公開提供樣本的集成高壓GaN FET和驅動器解決方案,可實現兩倍功率密度並減半功率損耗

 

根植於數十年的電源管理創新經驗,德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN)宣佈推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mÙ場效應電晶體(FET)功率級工程樣本,進而使TI成為首家、也是唯一能夠向大眾供應高壓驅動器整合的GaN解決方案的半導體廠商。與基於矽材料FET的解決方案相比,這款全新的12-A LMG3410功率級與TI的類比和數位電力轉換控制器組合在一起,能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能皆更高的設計。這些優勢在隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用中特別重要。如需瞭解更多資訊,請參考www.ti.com/lmg3410-pr-tw。

 

TI高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示:「透過3百萬小時以上的可靠度測試,LMG3410讓電源設計人員能夠充滿信心地實現GaN的無限潛能,並且透過以往無法實行的方法重新思考他們的電源架構和系統。 奠基於TI在生產製造以及廣泛的系統設計專業能力,全新的功率級對整個GaN市場來說是相當重要的一步。」

 

LMG3410借助其整合式驅動器和零反向恢復電流等特性提供可靠的效能,特別是在硬開關(hard-switching)應用中更是如此,並能夠大幅地降低高達80%的開關損耗。與獨立的GaN FET不同,容易上手的LMG3410針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)的故障保護整合了內建智能機制。

 

經驗證的製造和封裝專業知識

LMG3410是第一款整合了由TI生產的GaN FET的半導體積體電路(IC)。基於多年在製造和製程技術領域上的專業,TI在其矽技術相容的工廠內創造出GaN裝置,並且透過層層測試,使這些裝置的品質超過了典型電子裝置工業委員會(JEDEC)標準的要求,以確保GaN在要求嚴格使用情況下的可靠性和穩健耐用性。易於使用的封裝將有助於增加功率因數控制器(PFC) AC/DC轉換器、高壓DC匯流排轉換器和光伏(PV)逆變器等應用中GaN電源設計的部署和採用。

 

LMG3410的主要特點和優勢

  • 使功率密度加倍。與基於矽材料的最先進升壓功率因數轉換器相比,600V功率級在圖騰柱PFC中的功率損耗要低50%。減少的物料清單(BOM)數量和更高的效率最多可以將電源尺寸減少50%。
  • 減少封裝寄生電感。與分立式GaN解決方案相比,裝置全新的8mmx8mm四方扁平無引線(QFN)封裝減少了功率損耗、組件電壓應力和電磁干擾(EMI)。
  • 可實現全新拓撲。GaN的零反向恢復電荷有益於全新開關拓撲,其中包括圖騰柱PFC和LLC拓撲,以增加功率密度和效率。

 

拓展GaN生態系統

為了能夠讓設計人員在他們的電源設計中利用GaN技術所具有的優勢,TI更推出了全新的產品,以擴展其GaN生態系統。LMG5200POLEVM-10,一個48V至1V負載點(POL)的評估模組,將包括與80V LMG5200 GaN FET功率級配對使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。這個解決方案可以在工業、電信和資料通信應用中實現高達92%的效率。

 

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