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Samsung(Memory) : 三星開始量產20nm 4Gb LPDDR2 DRAM

 2012-06-06

繼去年採用35nm製程生產目前存儲密度最高的4Gbit LPDDR2之後,三星正式宣布該公司開始生產最新的20nm製程LPDDR2。

 

新的20nm 4Gbit LPDDR2 die更薄,四個die堆疊封裝組成的16Gb(2G Byte) LPDDR2高度為0.8mm,比之前35nm的LPDDR2少20%,傳輸速度最高同為1066Mbps。

 

三星希望新的20nm工藝4Gb LPDDR2顆粒能迅速取代目前智慧型手機上廣泛使用的30nm 2Gb LPDDR2產品。因為同為1GB容量方案,新的20nm 4Gb顆粒只需2顆die堆疊而舊的2Gb產品需要4顆die推疊。

 

根據IHS iSuppli的統計,隨著智慧型手機和平板電腦,以及超輕薄筆記型電腦的快速發展,4Gb LPDDR2的出貨量正在迅速上升:預估2012年內能佔DRAM市場總出貨量的13%,2013年可佔49%,而2014年更可達到63%。2013年底4Gb DRAM顆粒將成為DRAM市場的主流產品,屆時智慧型手機和平板電腦的主流產品記憶體容量可達16Gb(2G Byte)。

 

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