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德州仪器600V GaN FET功率级彻底改变高效能电力转换

 2016-07-21

TI制造、首款公开提供样本的集成高压GaN FET和驱动器解决方案,可实现两倍功率密度并减半功率损耗

 

根植于数十年的电源管理创新经验,德州仪器(TI)(NASDAQ: TXN)宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样本,进而使TI成为首家、也是唯一能够向大众供应高压驱动器整合的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比,这款全新的12-A LMG3410功率级与TI的模拟和数字电力转换控制器组合在一起,能让设计人员开发出尺寸更小、效率及效能皆更高的设计。这些优势在隔离式高压工业、电信、企业级运算和再生能源的应用中特别重要。如需了解更多信息,请参考www.ti.com/lmg3410-pr-tw。

 

TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses表示:「透过3百万小时以上的可靠度测试,LMG3410让电源设计人员能够充满信心地实现GaN的无限潜能,并且透过以往无法实行的方法重新思考他们的电源架构和系统。 奠基于TI在生产制造以及广泛的系统设计专业能力,全新的功率级对整个GaN市场来说是相当重要的一步。」

 

LMG3410借助其整合式驱动器和零反向恢复电流等特性提供可靠的效能,特别是在硬开关(hard-switching)应用中更是如此,并能够大幅地降低高达80%的开关损耗。与独立的GaN FET不同,容易上手的LMG3410针对温度、电流和欠压闭锁(UVLO)的故障保护整合了内建智能机制。

 

经验证的制造和封装专业知识

LMG3410是第一款整合了由TI生产的GaN FET的半导体集成电路(IC)。基于多年在制造和制程技术领域上的专业,TI在其硅技术兼容的工厂内创造出GaN装置,并且透过层层测试,使这些装置的质量超过了典型电子装置工业委员会(JEDEC)标准的要求,以确保GaN在要求严格使用情况下的可靠性和稳健耐用性。易于使用的封装将有助于增加功率因子控制器(PFC) AC/DC转换器、高压DC总线转换器和光伏(PV)逆变器等应用中GaN电源设计的部署和采用。

 

LMG3410的主要特点和优势

  • 使功率密度加倍。与基于硅材料的最先进升压功率因子转换器相比,600V功率级在图腾柱PFC中的功率损耗要低50%。减少的物料清单(BOM)数量和更高的效率最多可以将电源尺寸减少50%。
  • 减少封装寄生电感。与分立式GaN解决方案相比,装置全新的8mmx8mm四方扁平无引线(QFN)封装减少了功率损耗、组件电压应力和电磁干扰(EMI)。
  • 可实现全新拓扑。GaN的零反向恢复电荷有益于全新开关拓扑,其中包括图腾柱PFC和LLC拓扑,以增加功率密度和效率。

 

拓展GaN生态系统

为了能够让设计人员在他们的电源设计中利用GaN技术所具有的优势,TI更推出了全新的产品,以扩展其GaN生态系统。LMG5200POLEVM-10,一个48V至1V负载点(POL)的评估模块,将包括与80V LMG5200 GaN FET功率级配对使用的全新TPS53632G GaN FET控制器。这个解决方案可以在工业、电信和数据通信应用中实现高达92%的效率。

 

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