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意法半导体(ST)推出全球首款1500V超接面功率MOSFET,实现更环保、更安全的电源应用

 2016-04-13

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化,同时提升工作稳健性及安全系数。MDmeshTM K5产品是全球首款拥有超接面技术优势及1500V极-源极(drain-to-source)崩溃电压(breakdown voltage)的晶体管,并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中。

 

新产品锁定计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率,同时电源稳健性是让服务器最大幅度减少断电停机时间的关键因素,焊接、工厂自动化等工业应用也需要更大的输出功率。这些应用的输出功率在75W至230W之间或更高,超接面MOSFET技术的出色动态开关性能使其成为工业应用的最佳选择。

 

意法半导体的MDmesh K5功率MOSFET系列将此项技术提升至一个全新的水平,单位面积导通电组(Rds(on)) 和栅极电荷量(Qg)均创市场最低,并拥有业界最佳的FoM (质量因素)[1] 。新产品是目前主流电源拓扑的理想选择,包括标准准谐振(quasi-resonant)与主动式箝位返驰转换器以及LLC[2] 半桥式转换器,均要求宽输入电压、高能效(高达96%)以及输出功率近200W的电源。

 

该系列先推出的两款产品STW12N150K5及 STW21N150K5其最大漏源电流分别达到7A和14A,栅极电荷量仅有47nC(STW12N150K5)/导通电阻仅 0.9Ω (STW21N150K5)。两款产品均已量产,采TO-247封装。

欲了解更多,请浏览:www.st.com/mdmeshk5



[1]质量因素(FoM,Figure of Merit)是栅极电荷量乘以导通电阻。这个参数对于电源设计人员来说越小越好。

[2]LLC指「两个电感器及一个电容器」,是一个电压范围宽广的AC输入高能效(95%+)AC-DC转换器拓扑。