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NXP LTE low / middle / high band LNA BGU8L1/BGU8M1/BGU8H1

 2017-02-15

【基本資料】

【產品特性】

‧BGU8L1 : LTE Low Band LNA 728~960MHz,
‧BGU8M1 : LTE Mid Band LNA 1805~ 2200MHz,
‧BGU8H1 : LTE High Band LNA 2300~2690MHz,
‧Low current consumption ( around 5mA)
‧Low Noise Figure ( Low/Mid/High) : 0.7 / 0.8 / 0.9dB
‧Gain ( Low / Mid / High): 14 / 13 / 13 dB
‧High IIP3 ( Low / Mid / High): +2 / +4 / +8 dBm
‧ESD all Pins, 2KV HBM

【產品應用】

‧LTE band Low Noise Amplifier
‧4G Mobile Phone
‧4G LTE Router
‧RF Front-end module

【文字介紹】

NXP BGU8L1/BGU8M1/BGU8H1是一系列針對4G LTE 移動產品所開發的射頻低雜訊放大器, 操作電壓範圍 1.5V 到 3.1V, 低耗電流 ~5mA 及 封裝尺寸 為 1.1mm x 0.7 mm x 0.37 mm. 極適合4G LTE 移動式產品的應用.
除低耗電流外, BGU8L1/BGU8M1/BGU8H1 可於 LTE ( Low/Mid/High) band 提供約14dB 的增益, 並具有高的 Po1dB 及 IIP3 特性, 使其可防止帶內強訊號所造成的線性失真.
在應用電路上, IC 內含RF 匹配線路及輸出端DC decoupled 大幅降低周圍元件的數目, 另外所有的 Pin 腳皆有2KV HBM 保護, 大大提高生產良率.