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Vishay發佈用於同步降壓應用的業內首批通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

 2016-10-19

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣佈,推出業內首批通過AEC-Q101認證的採用雙片不對稱功率封裝的12V和20V MOSFET,可在汽車應用的高效同步降壓轉換器中節省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EPSQJ200EP N溝道TrenchFET®器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L雙片不對稱封裝裡,低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。

 

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把兩顆MOSFET封裝在一個不對稱封裝裡,尺寸較大的低邊MOSFET導通電阻較低,較小的高邊MOSFET開關速度更快,可替換性能較低的標準雙片器件,而標準器件會限制大電流、高頻率的同步降壓設計使用最優的MOSFET組合。相比於使用分立器件,這兩顆器件佔用的電路板空間更少,能實現更小尺寸的PCB設計。

 

日前發佈的器件可在+175℃高溫下工作,能夠滿足資訊娛樂系統、車載資訊服務、導航和LED照明等汽車應用對耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很適合匯流排電壓£ 8V的應用,通道2的低邊MOSFET的最大導通電阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP適合電壓較高的應用,最大導通電阻為3.7mΩ,稍高一些。兩顆器件都進行了100%的柵極電阻和雪崩測試,符合RoHS,無鹵素。