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Vishay推出新系列P通道TrenchFET®功率MOSFET
可提供低至29毫歐的業界低導通電阻

 2007-10-17

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出新系列 P 通道 MOSFET,這些器件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。

基於新一代 TrenchFET® 晶片技術的新型 Vishay Siliconix 器件採用 PowerPAK® SC-70 封裝(2.05 mm×2.05 mm)時最大導通電阻額定值為 29 毫歐,採用標準 SC-70 封裝(2.0 mm×2.1 mm)時為 80 毫歐,採用 SC-89 封裝(1.6 mm×1.6 mm)時為 130 毫歐。

與市場上僅次之的 MOSFET 相比,這些新型 Vishay Siliconix 器件的規格表現了高達 63% 的改進。

這些新型 P 通道 TrenchFET 將用於手機、MP3 播放器、PDA 及數碼相機等可擕式終端產品中的負載開關、PA 開關及電池開關,在這些應用中,它們的低傳導損失將有助於延長電池的運行時間,它們的微型封裝將節省寶貴的板面空間,從而實現更多功能。

在可擕式電子系統中,通過在顯示器或功率放大器等功能不用時關閉它們,或將系統從活動模式切換到睡眠模式,P 通道 MOSFET 執行基本功能,從而節省電池使用時間。執行這些切換任務時,這些新型 Vishay Siliconix 器件的功耗低於市場上的先前任何 P 通道功率 MOSFET,因為它們超低的導通電阻額定值會直接體現成更低的導電損失。

日前推出的 P 通道 TrenchFET 包括具有 -12V、-20V 及 -30V 擊穿電壓額定值的單通道器件。這些器件採用 6 引腳 SC-89、標準 SC-70 及 PowerPAK® SC-70 封裝,所有封裝均無鉛 (Pb),符合當今的環保要求。

部件編號* VDS (V) VGS (V) RDS(on) @ VGS = 封裝類型 
−10 V (Ω) −4.5 V (Ω) −2.5 V (Ω) −1.8 V (Ω) 
Si1065X -12±8 0.130.1580.205SC-89
Si1067X -20±8 0.150.1660.214SC-89
Si1069X -20±12 0.1840.258 SC-89
Si1071X -30±120.1670.1880.244 SC-89
Si1073X -30±200.1730.243  SC-89
Si1469DH -20±120.080.10.155 SC-70
Si1471DH -30±120.10.120.175 SC-70
Si1473DH -30±200.10.145  SC-70
SiA413DJ -12±8 0.0290.0340.044PowerPAK SC-70
SiA421DJ -30±200.0350.056  PowerPAK SC-70
*將尾碼 T1-E3 添加到訂單

Vishay Siliconix 是首家推出 TrenchFET 技術的供應商。憑藉這些新型器件,該公司擴展了包含採用眾多封裝類型的 N 通道及 P 通道 TrenchFET。

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“財富 1,000 強企業”,是世界上分立半導體(二極體、整流器、電晶體、光電子產品及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻、電容器、電感器、感測器及轉換器)的最大製造商之一。這些元件幾乎用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空及醫療市場的各種類型的電子設備中。其產品創新、成功的收購戰略以及提供“一站式”服務的能力已使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細資訊,可以訪問 Internet 網站 http://www.vishay.com