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Vishay 提供BiSy單路ESD保護二極體的工作電壓低至3.3V之超低典型電容

 2016-08-10

器件採用CLP0603封裝,高度只有0.27mm,具有0.29pF的超低典型電容

 

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣佈,發佈兩顆新的雙向對稱(BiSy)單路ESD保護二極體。二極體的工作電壓範圍低至3.3V,使用超小尺寸CLP0603矽封裝,可用於可擕式電子產品。Vishay Semiconductors VBUS03B1-SD0VCUT03E1-SD0的尺寸只有0.6mm x 0.3mm,高度非常低,只有0.27mm,具有超低的電容和漏電流,可保護高速資料線路和天線免收瞬變電壓信號的影響。

 

兩顆器件的工作電壓範圍為3.3V,VBUS03B1-SD0典型負載電容低至0.29pF,VCUT03E1-SD0的負載電容小於14pF,可用在智能手機、手機、數碼相機、MP3播放機和可擕式遊戲機等產品中,保護像HDMI、USB 3.1和Thunderbolt等高速資料埠之類的低電壓和節能應用。器件的CLP0603封裝具有引線短、尺寸小的特點,因此二極體的線電感非常低,可以鉗位像ESD電擊這樣的快速瞬變,同時把過沖或下沖降到最小。

 

在3.3V工作電壓下,器件的最大漏電流小於0.1μA,在1mA下的典型擊穿電壓為8.5V,2.5A下的最高鉗位元電壓為18V。VBUS03B1-SD0和VCUT03E1-SD0可為一條資料線分別提供符合per IEC 61000-4-2要求的±16kV和±30kV(空氣和接觸放電)的瞬變保護。器件可使用JEDEC STD-020要求的+260℃回流焊,持續時間10秒鐘。保護二極體符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。

 

新的VBUS03B1-SD0和VCUT03E1-SD0現可提供樣品,並已實現量產,大宗訂貨的供貨週期為八周。