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ST 發佈最新功率技術 實現更加節能環保的工業設備和基礎設施

 2013-08-14

全新功率電晶體系列採用先進的內部結構,擁有業界最低的通態電阻,適用於低能耗、高空間效率的設計

 

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商ST推出能夠降低電信系統、運算系統、太陽能逆變器、工業自動化以及汽車電子等應用對環境影響的新一代高能效功率元件。

 

ST全新STripFET™ VII DeepGATE™ MOSFET擁有目前市場銷售的80V和100V功率電晶體中最高的導電效率,同時提高了開關效率。此外,新產品有助於簡化設計,使用數量更少且封裝更小的元件,可減少系統功耗和提高能效目標,從而降低了設備尺寸和成本。

 

強化的MOSFET閘極結構是ST STripFET VII DeepGATE技術的重要突破,在降低元件通態電阻的同時還降低了內部電容和閘極電荷,進一步提高開關速度和效率。新產品的抗雪崩能力優異,使產品在可能損壞元件的惡劣條件中仍可正常工作,因此STripFET VII DeepGATE是汽車電子應用的最佳選擇。

 

現可訂購的STripFET VII DeepGATE樣品或產品超過15種,包括STP270N8F7 80V元件和一系列100V元件,客戶可選擇TO-220、DPAK、PowerFLAT™ 5x6和2針腳或6針腳H2PAK封裝。

 

關於STMOSFET和電壓額定值:

STripFET VII DeepGATE是ST強大的MOSFET系列產品的新成員,在各種應用使用的主要電壓額定值下,提供業界領先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技術特別適用於DC電壓驅動的電氣系統,如電信設備廣泛使用的48VDC電壓。80V或100V元件具有充足的安全餘量,可承受在48V系統中常見的過電壓浪涌。優異的可靠性讓STripFET VII DeepGATE還可用於12V或24V汽車電子應用。

 

工業電源還需要像MDmesh™ 超接面技術一樣的功率技術,因為此項技術在較高電壓額定值時擁有十分優異的能效。600V或650V MDmesh元件為AC-DC電源、照明鎮流器(ballast)和顯示器提供適合的安全餘量。ST近期發佈的全新高能效MDmesh產品系列以低閘電荷為特色,適用於諧振型功率轉換器,如液晶電視電源(MDmesh II Low Qg)。

 

 

關於ST

ST(STMicroelectronics;ST)是全球領先的半導體解決方案供應商,為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術,到數位信任和資料安全,從醫療健身設備,到智慧型消費性電子,從家電、汽車,到辦公設備,從工作到娛樂,ST的微電子元件技術無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。ST代表著科技帶動智慧生活(life.augmented)的理念。

 

ST2012年淨收入84.9億美元。詳情請瀏覽ST公司網站www.st.com。