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Fairchild 的 Dual Cool™ 封裝技術 提高了 DC-DC 電源應用中的功率密度及性能

 2013-01-23

優化後的中壓 MOSFET 的接面至環境熱阻減少了四分之三

 

在節省電路板空間並減少熱阻的同時提高了功率密度,這對於 DC-DC 轉換應用的設計者而言是一個挑戰。Fairchild新型中壓 PowerTrench® MOSFET 採用Dual Cool™ 封裝技術,非常適合於解決這些設計難題。

 

 

Fairchild的 Dual Cool 封裝組合是符合產業標準的引腳接出封裝,採用頂部冷卻設計,經過擴展及改進後,包含 40-100V 的中壓系列產品。改進後的矽技術結合 Dual Cool 技術,可提供卓越的開關性能以及比標準超模壓 5mm x 6mm MLP 減少四分之三的接面至環境熱阻。

 

中壓系列產品中的元件包括40VFDMS8320LDC、 60VFDMS86500DC、 80VFDMS86300DC 及 100VFDMS86101DC。這些元件為同步整流 MOSFET,適合用於 DC-DC 轉換器、電信次級整流及高側伺服器/工作站應用。要瞭解更多關於可用於 Dual Cool 封裝中的元件資訊,請造訪網站:www.fairchildsemi.com/dualcool

 

特點及優點:

FDMS8320LDC (40V)

  • 最大 RDSON= 1.1mΩ,需 VGS = 10 V,ID = 44A
  • 最大 RDSON= 1.5mΩ,需 VGS = 4.5 V,ID = 37A

FDMS86500DC (60V)

  • 最大 RDSON= 2.3mΩ,需 VGS = 10 V,ID = 29A
  • 最大 RDSON= 3.3mΩ,需 VGS = 8V,ID = 24A

FDMS86300DC (80V)

  • 最大 RDS(ON)= 3.1mΩ,需 VGS = 10V, ID = 24A
  • 最大 RDSON= 4.0mΩ,需 VGS = 8 V,ID = 21A
  • 業內最低 RDS(ON) ,比具有相同額定電壓的競爭解決方案低約 35%

FDMS86101DC (100V)

  • 最大      RDSON      = 7.5 mΩ,需      VGS = 10V,ID      =14.5A
  • 最大      RDSON      = 12 mΩ,需      VGS = 6V,ID      = 11.5 A

 

封裝

按要求提供樣品,該系列產品的所有元件的封裝為 PQFN 5x6 8L。

 

採用 Dual Cool 封裝的 MOSFET 是Fairchild行業領先的 MOSFET 產品組合的一部分。Fairchild瞭解對於 DC-DC 電源有著電流更大、佔用空間卻更小以滿足空間受限應用的需求,並瞭解其目標客戶及所服務的市場,進而將產品功能、製程及封裝方面的創新技術完美結合,應用於對電子設計具有重要作用的解決方案中。

 

Fairchild:解決方案助您成功!

 

編輯注:產品的 PDF 格式資料表可從此網址獲取:

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS8320LDC.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86500DC.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf

http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86101DC.pdf

 

 

Fairchild簡介

Fairchild Semiconductor-全球營運、本地支援、創新觀念。Fairchild為電源和可攜式設計提供高效率、易於應用及高附加價值的半導體解決方案。我們協助客戶開發差異化的產品,並以我們在功率和訊號路徑產品上的專業知識解決其遇到的困難技術挑戰。要瞭解更多資訊,請瀏覽網站:www.fairchildsemi.com