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Vishay发布用于同步降压应用的业内首批通过AEC-Q101认证的双片不对称封装12V和20V MOSFET

 2016-10-19

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣布,推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V和20V MOSFET,可在汽车应用的高效同步降压转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EPSQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里,低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。

 

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把两颗MOSFET封装在一个不对称封装里,尺寸较大的低边MOSFET导通电阻较低,较小的高边MOSFET开关速度更快,可替换性能较低的标准双片器件,而标准器件会限制大电流、高频率的同步降压设计使用最优的MOSFET组合。相比于使用分立器件,这两颗器件占用的电路板空间更少,能实现更小尺寸的PCB设计。

 

日前发布的器件可在+175℃高温下工作,能够满足信息娱乐系统、车载信息服务、导航和LED照明等汽车应用对耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很适合总线电压£ 8V的应用,通道2的低边MOSFET的最大导通电阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP适合电压较高的应用,最大导通电阻为3.7mΩ,稍高一些。两颗器件都进行了100%的栅极电阻和雪崩测试,符合RoHS,无卤素。