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1 A 与 2 A装置的特色是0.65 mm 轻薄外型与低顺向压降至 0.36 V

 2017-08-01

威世 (Vishay Intertechnology, Inc.) 推出以 eSMP® 系列 MicroSMP (DO-219AD) 封装的 10 个新 1A 与 2A 装置扩大其表面贴装的 TMBS® 采用沟槽式 MOS 肖特基整流器产品。为 SOD123W 的肖特基整流器提供节省空间的替代方案,威世通用半导体装置,有从 45 V 到 150 V 的反向电压,并包含业界在 MicroSMP 领先的 2 A TMBS 整流器,以提供低至 0.40 V 的顺向压降。

目前,电流额定达 2 A 的肖特基整流器一般是以 SOD123W 与 SMA 封装。今天发布的装置以较小的 MicroSMP 提供此高顺向电压,增加功率密度。2.5 mm x 1.3 mm x 0.65 mm 的轻薄外型,该封装的厚度比 SOD123W 少了 35%,占用主板的空间少了45 %。为了取得卓越的热效能,MicroSMP 以不对称的引线框架设计为特色。

将顺向电压降至 0.36 V (1 A 装置) 与 0.40 V (2 A 装置),整流器降低功率损失并改善商业与工业应用中低压高频变频器、DC/DC 换能器与飞轮与极性保护二极管的效率。该装置也可符合 AEC-Q101 可应用于汽车电子设计。

新的整流器功能是最高的操作接合点温度可达 +175°C 与符合MSL1 等级湿度敏感度,J-STD-020,LF 最大峰值 +260 °C。适合自动化放置,该装置符合 RoHS 且是无卤。

 

装置规格表:

零件号码

IF(AV) (A)

VRRM (V)

IFSM (A)

VF at IF  TJ

TJ 最大 (°C)

VF (V)

IF (A)

TA (°C)

V1P6

1

60

25

0.45

1

+125

+150

V2P6

2

60

30

0.51

2

+125

+150

V1PL45

1

45

25

0.36

1

+125

+150

V2PL45

2

45

30

0.40

2

+125

+150

V1PM10

1

100

25

0.58

1

+125

+175

V2PM10

2

100

30

0.62

2

+125

+175

V1PM12

1

120

25

0.61

1

+125

+175

V2PM12

2

120

30

0.65

2

+125

+175

V1PM15

1

150

25

0.64

1

+125

+175

V2PM15

2

150

30

0.68

2

+125

+175