超级结器件具有业内最低的R_DS(ON)*Qg FOM，可用于通信、工业和企业应用

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 (FOM) 即栅极电荷与导通电阻乘积，该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。

“我们承诺为客户提供支持所有功率转换过程的各种MOSFET技术，涵盖需要高压输入到低压输出的各种最新的电子系统”，Vishay市场发展部高级总监David Grey说到，“有了SiHP065N60E和即将发布的第四代600V E系列产品，我们就可以在设计电源系统架构的初期就实现提高效率和功率密度的目标，包括功率因子校正和随后的高压DC/DC转换器砖式电源。”

SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻为0.065Ω，栅极电荷低至49nC。器件的FOM为2.8Ω*nC，比同类最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效输出电容C_o(er)和C_o(tr)分别只有93pf和593pF，可改善开关性能。在通信、工业和企业电源系统的功率因子校正和硬开关DC/DC转换器拓扑中，这些性能参数意味着更低的传导和开关损耗。

日前发布的器件采用TO-220AB封装，符合RoHS，无卤素，可承受雪崩模式中的过压瞬变，而且保证限值通过了100% UIS测试。