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品佳集团力推英飞凌1200V 碳化硅MOSFET,协助电源转换方案开发人员节省空间、减轻重量、降散热要求,并提高可靠性和降低系统成本

 2018-02-07

品佳集团代理产品线英飞凌推出革命性的1200 V SiC MOSFET,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。

全新MOSFET融汇了多年SiC半导体开发经验,基于先进的沟槽半导体工艺,代表着英飞凌CoolSiC 产品家族的最新发展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻(RDS(ON))额定值为45 mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装, 4引脚封装有一个额外的源极连接端子(Kelvin),作为门极驱动的信号管脚,以消除由于源极电感引起的压降的影响,这可以进一步降低开关损耗,特别是在更高开关频率时。

另外,英飞凌还推出基于SiC MOSFET技术的1200 V‘Easy1B’半桥和升压模块。这些模块采用PressFIT连接,有良好的热界面、低杂散电感和坚固的设计,每种封装的模块均有11 mΩ和23 mΩ的RDS(ON)额定值选项。



Lead Products:


【特色】
英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 采用沟槽栅技术,兼具可靠性与性能优势,在动态损耗方面树立了新标杆,相比1200 V硅(Si)IGBT低了一个数量级。该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5 V电压。它们将4 V基准阈值额定电压(Vth)与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与Si IGBT相比的关键优势包括:低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性。


这些晶体管能像IGBT一样得到控制,在发生故障时得以安全关闭,此外,英飞凌碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度,因此可以轻松优化EMC性能。

【規格


【應用】
当前针对光伏逆变器、不间断电源(UPS)或充电/储能系统等应用的系统改进,此后可将其范围扩大到工业变频器。


若需任何产品详情, 请洽以下品佳集团 Infineon 产品线企划人员,
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