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Infineon全新节能MOSFET系列产品提供行动应用上的最佳效能

 2007-10-31

英飞凌科技(FSE/NYSE:IFX)发表应用于行动电子设备直流/直流转换器的全新功率半导体产品。新款 OptiMOS® 3 M 30V N 通道 MOSFET 系列产品锁定只使用 5伏特驱动的应用,除了适用于一般行动和手持式装置,还可应用在显示卡、工业控制、内嵌转换器、切换式电源供应器和笔记型计算机主机板上的许多插槽。

OptiMOS 3 M 系列装置在 4.5伏特制造下,具备业界最低导通电阻 (RDS(on)),可大幅降低导通功率消耗。此外,闸电荷也大幅减少;例如 BSC100N03MS G 导通电阻为 10 毫欧姆 (m?) ,最大额定闸极电荷为 11 nC。这些关键特性上的改进,使导通电阻乘以闸电荷所产生的优值系数 (FOM) 比主要竞争对手高出 20%,在效率上也提升 4%。

OptiMOS 3 M MOSFET 系列采用最适合小尺寸应用的 30 mm² SSO8 (SuperSO8) 和 3 mm x 3 mm S3O8 (Shrink SuperSO8) 封装。

采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS 3 M MOSFET 系列产品,导通电阻在 4.5 伏特下为 2.0 m? (在 10 伏特下为 1.6 m?),比实力最接近的同类产品低 38%。低导通电阻充份降低传导损耗和导通功率消耗,提高了功率密度。此外,低闸极电荷使得驱动器的负荷降低,开关频率若为 300kHz,驱动器工作温度降幅即高达 13°C,可降低热能消耗。

若采用 S3O8 封装,导通电阻在 4.5 伏特下可降至 4.3 m?,在 10 伏特下为 3.5 m?,比采用相同封装、实力最接近的竞争对手低了近 50%。

全新 OptiMOS 3 M MOSFET 系列的特性,还包括降低接面温度的低通导电阻温度系数,以及将 MOSFET 归入非潮湿敏感、并可在生产和储存时简化处理作业的一级潮湿敏感度 (MSL1) 等级。指定的 30 伏特崩溃电压可确保出现电压突波时仍能持续安全作业,这项制造技术使寄生电容降低,换言之,开关电荷减少了,如此便可在不牺牲效能的情况下增加开关速度。

可用性和计价方式
全新的 OptiMOS 3 M 30V 功率 MOSFET 产品系列一开始包含 18 项装置,现在采用 SSO8 和 S3O8 封装形式。

性能最佳的 BSC016N03MS G 导通电阻为  1.6 m?,,如果订购数量达到万件,采用SuperSO8 封装的单价只需 0.88 美元,而采用 S3O8 封装的 3.5 mΩ BSZ035N03MS G 装置的价格则为 0.56美元。

如需详细信息,请参阅 www.infineon.com/optimos