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Infineon 推出 DrBlade:采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代 DrMOS

 2013-03-27

英飞凌科技股份有限公司在 2013 应用电力电子研讨会暨展览会 (APEC) 中宣布推出 DrBlade:全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的整合式 DC/DC 驱动器及 MOSFET VR 功率级(power stage)。DrBlade 包含最新一代的低压 DC/DC 驱动器技术及 OptiMOS™ MOSFET 组件。MOSFET 技术拥有最低的导通阻抗及应用优化的优值系数,能达到最高的 DC/DC 稳压应用效率,适用于计算机及电信,包括刀锋(Blade)及机架式(Rack)服务器、计算机主板、笔记本电脑及游戏机等。

英飞凌DrBlade 包含最新一代的低压 DC/DC 驱动器技术及 OptiMOS™ MOSFET 组件。创新的 Blade 封装技术,大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感,同时亦降低热阻。


全新的 Blade 封装技术
英飞凌创新的 Blade 封装技术,采用芯片嵌入概念,使用电镀制程以取代标准的封装制程,例如打线、夹焊以及常见的成形技术。此外,芯片也加以层压介质(laminate foil)保护,使装置得以大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感,同时亦降低热阻。


英飞凌低压功率转换资深协理 Richard Kuncic 表示:「英飞凌是业界第一家推出采用 Blade 技术的整合式驱动器及 MOSFET 半桥的半导体公司。DrBlade 的推出,可提升服务器应用在全负载范围的效率,再度证明我们在功率半导体产业的领导地位。」

省空间、高效率
DrBlade 封装面积为 5x5mm,高度仅 0.5mm,可满足计算机系统对于更高的功率密度及省空间的需求。DrBlade 拥有优化的针脚规划,可简化 PCB 布线。采用全新的芯片嵌入式封装技术,再结合英飞凌的 OptiMOS MOSFET,使 DrBlade 成为低电压市场最佳的解决方案。


上市时间与定价
DrBlade 目前已开始提供样品,并将自 2013 年第二季开始量产。

有关英飞凌新推出的 Blade 系列产品的详细信息,请浏览:www.infineon.com/drblade

关于英飞凌
英飞凌 (Infineon Technologies AG) 总部位于德国纽必堡(Neubiberg),提供各式半导体和系统方案,以因应现今社会的三大挑战,包括能源效率 (energy efficiency)、移动性 (mobility)与安全性(security)。2012计年度(截至9月底)营收为39亿欧元,全球员工约为26,700名。