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ON沟槽型低正向压降肖特基整流器新系列 提供更高的开关能效

 2011-12-28

导电损耗、极佳温度稳定性及高浪涌电流处理能力,用于计算及消费应用
 

ON推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR),用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。

 

新的NTST30100CTGNTST20100CTGNTSB20U100CTG系列器件采用沟槽拓扑结构,提供优异的低正向压降及更低漏电流,因而导电损耗低及大幅提升的电路能效,说明设计工程师符合高能效标准规范要求,不会增加复杂度,例如无须同步整流。

 

此LVFR系列利用沟槽金属氧化物半导体(MOS)结构,在正向偏置条件下提供更大的导电区,因而显著降低正向压降。在反向偏置条件下,此结构产生“夹断”(pinch-off)效应,从而降低漏电流。跟平面型肖特基整流器不同,ON的沟槽型LVFR的开关性能在-40 °C至+150 °C的整个工作结点温度范围内都很优异。

 

为了证明LVFR的优势,ON将其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)与标准的30 A、100 V平面型肖特基整流器进行比较。基于65 W电源适配器测试的数据显示,使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此显著的能效提升使电源设计人员能够符合规范要求,同时不增加方案的复杂度及成本,例如无须同步整流。

 

ON功率分立分部高级总监兼总经理John Trice说:“我们的客户力求其产品设计更高能效,面市已久的平面型肖特基整流器根本无法高性价比地提供沟槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在扩展温度范围内提供优异正向压降及反向漏电流性能,超出我们客户提升电源能效的严格规格。”

 

ON新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示:

 

 

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