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Vishay 發佈首顆採用E系列超極結技術的500V高壓MOSFET

 2014-02-04

新器件具有E系列600V650V MOSFET的相同優點,具有高效率和高功率密度

 

Vishay 推出新的500V家族裡首款MOSFET,具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。新器件的低導通電阻和柵極電荷在高功率、高性能的消費類產品、照明應用和ATX/桌面PC機開關電源(SMPS)裡將起到節能的重要作用。

 

Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超級結技術,為採用高性能平面技術的Vishay現有500V D系列器件補充了高效率產品。這些25A器件的導通電阻為145mΩ ,提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和細引線的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多種封裝選項,這些低外形封裝適用于薄型消費類產品。

 

新的MOSFET具有57nC的超低柵極電荷,柵極電荷與到導通電阻乘積也較低,該參數是功率轉換應用裡MOSFET的優值係數(FOM)。與Vishay的600V和650V E系列器件類似,500V技術具有低導通電阻和優化的開關速度,能夠提高功率因數校正(PFC)、雙開關正激轉換器和反激轉換器應用裡的效率和功率密度,器件符合RoHS,可承受雪崩和開關模式裡的高能脈衝,保證極限值通過100% UIS測試。

 

 

 WPI_Vishay_500 V E