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Vishay 具有低至39mΩ的導通電阻和7A~73A電流的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

 2014-09-03

新的E系列器件採用的超級結技術可實現低FOM和高功率密度,具有8種封裝

 

Vishay E系列600V功率MOSFET新增採用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39mΩ~600mΩ,將最高電流等級擴展至7A~73A。新的E系列MOSFET採用Vishay的下一代超級結技術,使公司進入使用功率轉換技術的增量市場,包括照明、適配器和高功率可再生能源系統。

 

該器件使600V E系列MOSFET的器件數量增加到27個。所有的E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷,可實現極低的傳導損耗和開關損耗,從而在功率因數校正、伺服器和通信電源系統、焊接、不斷電供應系統(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體生產設備、適配器和太陽能電池逆變器等高功率、高性能的開關應用中節約能源。

 

器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈衝,保證通過100% UIS測試時達到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。

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VISHAY簡介

Vishay 是全球分立半導體(二極體、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航太、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細資訊,敬請流覽網站 www.vishay.com