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安森美半導體進一步加強汽車認證產品陣容

 2015-10-14

汽車前照燈M-LVDS驅動器/接收器輔以穩壓器和極低導通電阻的功率MOSFET

 

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor),推出一系列新的符合AEC-Q100標準的積體電路(IC),優化用於下一代汽車設計。

 

NBA3N200/1/6S多點低壓差分信號傳輸(M-LVDS)線性驅動器/接收器系列工作電源3.3 V。NBA3N200S 和NBA3N201S都支援高達每秒200兆比特(Mbps)的信號傳輸速率,共模電壓範圍 -1 V至3.4 V。這些器件有類別1(Type-1)接收器,以低至50毫伏(mV)的共模電壓範圍外的差分輸入電壓檢測 匯流排狀態。在接收器上差分輸入電壓滯後25 mV,防止由於緩慢變化的輸入信號或輸入損失在輸出端產生振盪。NBA3N206S還使用閾值為0.1 V的類別2(Type-2)接收器,支援200 Mbps的信號傳輸速率 。類別2接收器的偏置電壓閾值功能可檢測開路、閒置匯流排和其它各種可能損壞系統的故障情況。這些器件用於汽車應用如圖元前大燈,特別針對LED前大燈控制單元和前大燈之間的資料傳輸。

 

140 mV額定雙輸出線性穩壓器NCV8154的輸入電壓範圍為1.9 V至5.25 V, 有兩個獨立的輸入電壓引腳。這器件高度優化用於為汽車資訊娛樂系統中的射頻(RF)模組供電,能以超低雜訊和高電源抑制比(PSRR)提供非常穩定和極高精度電壓。低壓降(LDO)穩壓器NCV8170專門針對可擕式電池供電應用,如汽車無匙進入系統,消耗電流典型值僅500納安(nA)。而且,動態瞬態增強特性加強了該器件的瞬態回應特性。NCV8715是一款50毫安培(mA)的高穩定性的LDO,輸入電壓高達24 V,接地電流消耗為4.7毫安培(uA),超過全輸出負載範圍。該器件非常適用於汽車級微控制器單元。NCV8154 / NCV8715 / NCV8170都提供熱關斷和限流保護特性,確保可靠運行。

 

公司還推出單N溝道MOSFET,能提供令人難以置信的低導通電阻值,從而最大限度地減少導通損耗,並提高整體工作能效水準。額定電壓為40 V 的MOSFET NVMFS5C404NL、 NVMFS5C410NL、 NVMFS5C423NL 和NVMFS5C442NL,在10 V時導通電阻典型值分別為0.56 mΩ、 0.71 mΩ、1.6 mΩ 和 2.2 mΩ。與這些器件相輔相成的是60 VNVMFS5C604NL、 NVMFS5C612NLNVMFS5C646NL 和 NVMFS5C670NL,在10 V時導通電阻典型值分別為0.93 mΩ、1.2 mΩ、3.8mΩ 和5.1 mΩ。這些器件擴展安森美半導體用於電源開關、負載開關、電機控制和其它汽車應用的廣泛的MOSFET產品陣容。