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NXP順應當今行動趨勢推出全新矽基解決方案
SiGeC BiCMOS製程以更高頻率為無線設備提供超高性能和可靠性

 2007-11-14

恩智浦半導體(NXP Semiconductors)(由飛利浦創建的獨立半導體公司)推出BFU725F微波NPN電晶體,這是一系列矽基離散器件解決方案中的首款產品。BFU725F具有高開關頻率、高增益(high-gain)和超低噪音等多項優點,使其成為各種RF應用的理想解決方案。其超低噪音指標可以改善各種無線設備(例如GPS系統、DECT電話、衛星無線電、WLAN/CDMA應用)中靈敏的RF接收器的接收效果,而其超高截止頻率(cut-off frequency)則可以滿足運作頻率在10 GHz到30 GHz以內的各種應用需求,例如衛星低噪音區塊(low noise block)。

為解決現今設備的性能需求和生產商所考慮的成本問題,BFU725F電晶體在開發時使用了恩智浦用於離散器件、已經驗証的碳矽化鍺(SiGeC)製程技術,該製程還用於開發單晶片IC和寬頻電晶體。

CalAmp公司工程衛星產品總監Bruce Bruchan先生表示︰「我們選擇了恩智浦的SiGeC BiCMOS技術,因為最後結果顯示,這一極具成本效益的矽基離散器件不但能提供良好的功率增益,並具備優良的動態範圍。恩智浦不斷開發利用SiGeC BiCMOS技術製造的產品,並透過持續創新以應對快速變化且日益增長的微波和無線市場需求,顯示了恩智浦對其客戶的承諾。」

除了已經上市的解決方案包括TFF1004HN (用於衛星低噪音區塊的高度整合IC),以及BFU725F微波電晶體,恩智浦正在開發其他幾種矽基寬頻電晶體和MMIC(單片微波IC),預計將於今年年底和2008年年初上市。

恩智浦創新經理Bart Smolders教授表示︰「QUBiC4X的設計旨在確切滿足實際的高頻應的需求,並巧妙結合了超高的功率增益和優良的動態範圍。我們的想法是創造一種具有砷化鎵(GaAs)技術性能的技術,這樣我們就能夠提供具有高成本效益的整合高頻解決方案。」

BFU725F符合RoHS標準,可達到極低的噪音(1.8 GHz時0.43 dB / 5.8 GHz時0.7 dB)和很高的最大穩定增益(1.8 GHz時27 dB / 18 GHz時10 dB)。獨特的特點包括高達fT 70 GHz的開關頻率,及以SOT343F塑膠表面黏著封裝(plastic surface-mount package)。

產品上市時間
恩智浦的BFU725F微波電晶體現已開始大量供應。