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IDT 推出業界首款完全符合 JEDEC 標準的 DDR3 LRDIMM 記憶體緩衝器

 2011-02-23
類比和數位領域的優勢技術、提供領先的混合

信號

半導體解決方案的供應商 IDT® 公司推出業界首款符合 JEDEC 標準的 DDR3 記憶體緩衝器(MB3),以便能夠將新一代 DDR3 記憶體技術用於伺服器、

工作站

和存儲設備。IDT MB3 器件顯著提高了伺服器的記憶體容量、可靠性和可擴展性,解決了虛擬化應用和服務

性能

方面的關鍵瓶頸。

IDT MB301L 是專門用於 1.5V 和 1.35V 條件下

速度

高達 DDR3-1600 的低負載雙列直插記憶體模組(LRDIMM),以集成的解決方案提供高

性能

和低功耗。MB3 還提供了一系列無與倫比的專有

功能

,如完整的源同步 DRAM 訓練演演

算法

、超靈活的模式生成、錯誤插入/檢測,以及通過軟體的片上

示波器

。這些特

性能

夠提高

性能

、可靠性和

系統

測試能力。

LRDIMM 是一種新型記憶體模組,可滿足下一代伺服器應用的需要,特別是雲計算。針對雲計算模型的伺服器需要高度可擴展的記憶體架構,以支援虛擬化資源的

性能

彈性

需求

。LRDIMM 技術提供了可擴展的「量入為出」方法,可根據用戶群的演變保持伺服器主記憶體池的大小。與 RDIMM 不同,LRDIMM 的

性能

不會因一個

通道

中 DIMM 數量的增加而顯著降低,可最大限度地提高一組給定 CPU 資源的效率。

IDT 副總裁兼企業計算部總經理 Mario Montana 表示:「LRDIMM 是提高雲計算等虛擬化

環境

中伺服器

性能

的一個關鍵技術。IDT 是記憶體緩衝器技術行業的領導廠商,其歷史可以追溯到的 FBDIMM,我們的 DDR3 MB3 產品應用了這方面的專長和知識。我們一直與客戶、生態

系統

夥伴和 JEDEC 標準組織緊密合作,努力實現這一新技術。」

與用於 RDIMM 的只有緩衝區

命令

、位址和時鐘

信號

的 DDR3

寄存器

不同,IDT MB301L 可管理記憶體控制器和 SDRAM 之間的所有

信號

。通過改善在

主板

通道

和 LRDIMM 的

信號

完整性,有效地訓練進出 DRAM 的交換資料,IDT MB301L 有助於以更高

速度

運行更高

密度

的記憶體,且比使用 RDIMM 配置限制更少。最終結果是能夠在兩路伺服器上,以支援的最高

速度

等級運行四倍以上的記憶體。