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Samsung (Memory) 次世代SAMSUNG Toggle DDR NAND Flash

 2011-05-25
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Toggle DDR1.0 NAND的介面速度達到133 Mbps,這已經是現今SDR NAND (40 Mbps)超過3倍的傳輸速率,而Toggle DDR 2.0的最大傳輸速度更提升至400Mbs,是Toggle DDR 1.0技術的3倍,更是現有SDR NAND FLASH傳輸速度的10倍。使用Toggle DDR NAND的智慧型手機、平板電腦中所儲存的影片、照片、音樂等播放速度將會更上一層樓。

Toggle DDR NAND的使用1.8V和 3.3V的電源,而相較於目前SDR NAND只支援3.3V的供電,更低的電壓能降低電源功率的消耗,達到省電的效果。

三星將在64Gb MLC NAND首次使用Toggle DDR 2.0技術。新的NAND將可應用到新一代4G智慧手機和SATA III的6Gbps SSD及USB3.0隨身碟。
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